取り扱いメーカー

Wolfspeed

ニュース

■2015年9月、CREE Inc. Power & RF 事業部がCREE Inc.から分社化し、Wolfspeedに社名変更したことを発表

2015年9月2日 (本社米ノースカロライナ州 ダーラム)CREE Inc.が、 Power & RF 事業部をCREE Inc.から分社化し、Wolfspeed社として改名する事を発表しました。CREE Inc.は、SiC/GaNのリーディングカンパニーとして、LED事業、Power事業、RF事業を主体に運営しておりましたが、この度、事業の更なる 効率化、拡張化を目的とし、 Power事業及びRF 事業を分社化しWolfspeed社(本社:ノースカロライナ州 ダーラム)として創立したことを発表しました。この分社化によりWolfspeed社 は、”A CREE Company” として発足します。Wolfspeed社のパワーデバイス、RFデバイス等、製品に関する工程、保持する特許技術、品質体制、サポー ト、オペレーション体制等に変更はございません。

 

ロゴマーク

 

本社)米国ノースカロライナ州 ダーラム

 

メーカー概要


<Wolfspeed社概要>

米国 ノースカロライナ州、ダーラム発

Wolfspeed社は、世界最先端のシリコンカーバイト(SiC)技術、ガリウムナイトライド(GaN)技術をコアとし、Powerデバイス、RFデバイスを製造しております。

Wolfspeed社が保有している多くのウェハ―、エピキシャルにおける特許技術は、世界最先端の様々なアプリケーションに使用されております。

中でも、SiCパワーデバイスは、従来のシリコンに比べ、約4倍のバンドギャップを持ち、絶縁破壊電界はシリコンの約10倍、更に、熱伝導率はシリコンの約4倍のパフォーマンスが期待出来ます。

まさにシリコンの限界を超えた新素材であり、その優れた性能で、アプリケーションの高効率化、省電力化、省スペース化、高信頼性、トータルコスト低減を実現する事が可能です。

弊社では、専門の応用技術者を配備し、Wolfspeed社のパワーデバイスを推奨しております。

エネルギーの効率化を追求する新時代に向け、SiCの特徴を生かしたパワーデバイスソリューションを提供致します。

<Wolfspeed社>SiC(シリコンカーバイト)MOSFET&Diode製品

高耐圧、低損失、高効率、基板の省スペース、システムの軽量化に、シリコン製品の限界を超えた、高信頼性の次世代デバイス、シリコンカーバイト製品が新登場。

Wolfspeed社のSiC Powerデバイスは、あらゆる産業機器電源、パワコン、インバータ等に量産採用され始めている注目デバイスです。

Wolfspeed社HPはこちら

新製品ニュース


■新パッケージ4L-TO247 packageを採用 C3M0065100K 1000V/65mΩ 第三世代MOSFETをリリースしました。

第3世代はWolfspeed製MOSFETの最新の世代の製品です。

Super Junction MOSFETの置換えに最適なデバイスとなっております。

4L-TO247 packageを採用。

ケルビンソース端子を搭載することで、ソース端子の寄生インダクタンスを低減する事が出来、スイッチング損失を低減する事が可能です。

詳細はデータシートをご参照下さい。⇒pdf

■新たに650V/16A及び30Aのショットキーバリアダイオードをリリースしました。

下記2製品を新たに加え、さらにショットキーバリアダイオードのラインナップを強化いたしました。

・C3D16065A (650V/16A)

詳細はデータシートをご参照下さい。⇒pdf

・C3D30065D (650V/30A)

詳細はデータシートをご参照下さい。⇒pdf

■CAS325M12HM2 1200V/325A ハイパフォーマンス 62mm Half Bridge Moduleをリリースしました。

特徴

・超低スイッチング損失 ESW = 9.3 mJ

・超低内部インダクタンス Ls = 5nH

・超低オン抵抗 Rds(On) 3.6 mΩ

・AlSiC ベースプレートと 窒化ケイ素絶縁基板によって温度サイクルに対する耐久性が向上しました。

・最大ジャンクション温度 Tjmax = 175 °C

詳細はデータシートをご参照下さい。⇒pdf

■CGD15HB62LP

 CAS325M12HM2ハイパフォーマンス62mmモジュール用ゲートドライバボードを同時リリースしました。

・最大スイッチング周波数 100kHz

・High Performance CAS325M12HM2 Half Bridge Power Modulesに最適化されています。

・低インダクタンスデザイン

・過電流保護、オーバーラップ保護、逆接保護を搭載。

・ヒステリシスを設定可能なUVLOを搭載。

詳細はデータシートをご参照下さい。⇒pdf

 

■7L D2PAKパッケージ製品用評価ボードがリリースされました。

型名:CRD-5FF0912P

この評価ボードは、7L D2PAKパッケージのWolfspeed第3世代SiC MOSFETの高速スイッチング性能をご評価頂けます。

具体的には、高電圧MOSFETのために設計された新しい表面実装デバイス(SMD)は、ドレイン - ソース間の7ミリメートルの広い沿面距離と小さなフットプリントを実現しております。

新しいパッケージは、ゲートリンギングを減少させ、綺麗なゲート信号を提供するソースのケルビン端子を含みます。

評価ボードは事前に絶縁されたヒートシンク、クーリングファン、2つのMOSFET(C2M0120090J)が実装されており、ハーフブリッジの回路構成となっております。

テストピンを立てるスルーホールが用意されておりますので、波形の測定も容易に実施可能です。

詳細はユーザーズガイドをご参照下さい。⇒pdf

 

■第3世代MOSFETリリース

第3世代はWolfspeed製MOSFETの最新の世代の製品です。

Super Junction MOSFETの置換えに最適なデバイスとなっております。

主な特徴

①オン抵抗の温度依存性が非常に小さい。

Tj=25℃⇒Tj=150℃で約1.4倍と非常に小さい温度依存性を実現。

②非常に小さい寄生容量。

Qg、Ciss等容量特性に優れており、高速スイッチングに最適。

③ボディダイオードの高速なリカバリー。

Qrrが非常に小さく、Trrは製品によって異なりますが、7L D2PAKで十数nsと非常に高速であり、リカバリーロスの低減に貢献します。

詳細なスペックは下記製品のデータシートをご確認下さい。

C3M0065090DC3M0065090Jをリリースしました。

(900V/65mΩ)

C3M0120090DC3M0120090Jをリリースしました。

(900V/120mΩ)

C3M0280090DC3M0280090Jをリリースしました。

(900V/280mΩ)

■補助電源向け 1700V/1Ω MOSFETが新パッケージにてリリースされました。

ソースのケルビン端子を備えた7LD2PAKにてC2M1000170Jをリリース。

■新パッケージ 7LD2PAK

製品型名の末尾がパッケージ種別を表しており、「J」の付くものが7LD2PAKの製品となっております。

ケルビンソース端子を搭載することで、ソース端子の寄生インダクタンスを低減する事が出来、スイッチング損失を低減する事が可能です。

左から、1.ゲート、2.ケルビンソース、3~7.ソース、TAB.ドレイン

ディスクリート製品評価ボード

■7L D2PAKパッケージ製品用評価ボード

型名:CRD-5FF0912P

この評価ボードは、7L D2PAKパッケージのWolfspeed第3世代SiC MOSFETの高速スイッチング性能をご評価頂けます。

具体的には、高電圧MOSFETのために設計された新しい表面実装デバイス(SMD)は、ドレイン - ソース間の7ミリメートルの広い沿面距離と

小さなフットプリントを実現しております。

新しいパッケージは、ゲートリンギングを減少させ、綺麗なゲート信号を提供するソースのケルビン端子を含みます。

評価ボードは事前に絶縁されたヒートシンク、クーリングファン、2つのMOSFET(C2M0120090J)が実装されており、ハーフブリッジの回路

構成となっております。

テストピンを立てるスルーホールが用意されておりますので、波形の測定も容易に実施可能です。

詳細はユーザーズガイドをご参照下さい。⇒pdf

 

■TO247パッケージ製品用評価ボード

型名:KIT8020CRD8FF1217P-1

MOSFETを2つ、Diodeを2つを実装し、ハーフブリッジ回路構成となっておりますので、昇圧チョッパ、降圧チョッパ、フルブリッジ、ダイオードブリッジ等様々な回路を構成出来ます。

また、同軸コネクタやテストピンが実装されておりますので測定が容易です。

付属品には、C2M0080120D 80 mohm MOSFET x 2、C4D20120D 20A Diode x 2 が付属し、すぐにSiCの動作を確認することが可能となっており、他には絶縁シート、放熱フィン、ネジ、ワッシャー等必要なが全て揃っており、すぐに評価環境を構築する事が可能です。

詳細はユーザーズガイドをご参照下さい。⇒pdf

■Wolfspeed TO247パッケージ製品用評価ボードプロモーションビデオ公開

ディスクリート製品評価ボード(KIT8020CRD8FF1217P-1)のプロモーションビデオが公開されております。

是非ご覧ください。

動画はこちらクリックして下さい。

他にも技術内容に関する動画もYoutubeのWolfspeed channelよりご覧いただけます。

動画はこちらクリックして下さい。

富士エレクトロニクス オリジナル製品カタログ


Wolfspeed製品ラインナップのA3両面印刷2つ折り用ダウンロードはこちら ⇒ pdf

製品ラインナップ

SiC Power MOSFET

Products New

Products

Blocking

Voltage

(V)

RDSon (mΩ)

(Tj=25℃)

Typ

Current

Rating (A)

(Tc=100°C) 

Package For New Designs
C3M0280090D 900 280 7.5 TO-247-3  
C3M0280090J 900 280 7 7L D2PAK
C3M0120090D 900 120 15 TO-247-3  
C3M0120090J 900 120 14 7L D2PAK
C3M0065090D 900 65 23 TO-247-3  
C3M0065090J 900 65 22 7L D2PAK  
C3M0120100J New 1000 120 13.5 7L D2PAK
C3M0120100K 1000 120 13.5 TO-247-4
C3M0065100J New 1000 65 22.5 7L D2PAK 
C3M0065100K New 1000 65 22.5 TO-247-4  
C2M0025120D   1200 25 60 TO-247-3  
C2M0040120D 1200 40 40 TO-247-3  
C2M0080120D   1200 80 20 TO-247-3  
C2M0160120D   1200 160 11 TO-247-3  
C2M0280120D 1200 280 6 TO-247-3  
C3M0075120K 1200 75 19.7 TO-247-4
C3M0075120J New 1200 75 19.7 7L D2PAK
C2M1000170D   1700 1000 2.6 TO-247-3
C2M1000170J 1700 1000 3.6 7L D2PAK

 

SiC Schottky Diode

Products New

Products

Blocking Voltage

(V)

Current Rating

(A)

Technology Package For New Designs
C3D02060A   600 2 C3D TO-220-2  
C3D02060E   600 2 C3D TO-252-2  
C3D02060F   600 2 C3D TO-220-F2  
C3D03060A   600 3 C3D TO-220-2  
C3D03060E   600 3 C3D TO-252-2  
C3D03060F   600 3 C3D TO-220-F2  
C3D04060A   600 4 C3D TO-220-2  
C3D04060E   600 4 C3D TO-252-2  
C3D04060F   600 4 C3D TO-220-F2  
C3D06060A   600 6 C3D TO-220-2  
C3D06060F   600 6 C3D TO-220-F2  
C3D06060G   600 6 C3D TO-263-2  
C3D08060A   600 8 C3D TO-220-2  
C3D08060G   600 8 C3D TO-263-2  
C3D10060A   600 10 C3D TO-220-2  
C3D10060G   600 10 C3D TO-263-2  
C3D16060D   600 16 C3D TO-247-3  
C3D1P7060Q   600 1.7 C3D QFN  
C3D20060D   600 20 C3D TO-247-3  
CSD01060A   600 1 CSD TO-220-2  
CSD01060E   600 1 CSD TO-252-2  
C3D02065E 650 2 C3D TO-252-2  
C3D03065E 650 3 C3D TO-252-2  
C3D04065A   650 4 C3D TO-220-2  
C3D04065E 650 4 C3D TO-252-2  
C3D06065A   650 6 C3D TO-220-2  
C3D06065E 650 6 C3D TO-252-2  
C3D06065I   650 6 C3D TO-220 Isolated  
C3D08065A   650 8 C3D TO-220-2  
C3D08065E 650 8 C3D TO-252-2  
C3D08065I   650 8 C3D TO-220 Isolated  
C3D10065A   650 10 C3D TO-220-2  
C3D10065E 650 10 C3D TO-252-2  
C3D10065I   650 10 C3D TO-220 Isolated  
C3D16065A 650 16 C3D TO-220-2  
C3D16065D 650 16 C3D TO-247-3  
C3D20065D 650 20 C3D TO-247-3  
C3D30065D 650 30 C3D TO-247-3  
C5D50065D 650 50 C5D TO-247-3  
CVFD20065A 650 20 Low VF TO-220-2  
C2D05120A   1200 5 C2D TO-220-2 No
C2D05120E   1200 5 C2D TO-252-2 No
C2D10120A   1200 10 C2D TO-220-2 No
C2D10120D   1200 10 C2D TO-247-3 No
C2D20120D   1200 20 C2D TO-247-3 No
C4D02120A   1200 2 C4D TO-220-2  
C4D02120E   1200 2 C4D TO-252-2  
C4D05120A   1200 5 C4D TO-220-2  
C4D05120E   1200 5 C4D TO-252-2  
C4D08120A   1200 8 C4D TO-220-2  
C4D08120E   1200 8 C4D TO-252-2  
C4D10120A   1200 10 C4D TO-220-2  
C4D10120D   1200 10 C4D TO-247-3  
C4D10120E   1200 10 C4D TO-252-2  
C4D15120A   1200 15 C4D TO-220-2  
C4D15120D 1200 15 C4D TO-247-3
C4D20120A   1200 20 C4D TO-220-2  
C4D20120D   1200 20 C4D TO-247-3  
C4D30120D   1200 30 C4D TO-247-3  
C4D40120D   1200 40 C4D TO-247-3  
C3D10170H   1700 10 C3D TO-247-2  
C3D25170H   1700 25 C3D TO-247-2  

 

SiC Power Module

Products New

Products

Blocking voltage

(V)

RDSon (mΩ)

(Tj=25℃)

Typ

Current

Rating (A)

Package For New Designs
CAS120M12BM2 1200 13 120 Half Bridge 62mm  
CAS300M12BM2   1200 5 300 Half Bridge 62mm  
WAS300M12BM2 1200 4.2 300 Half Bridge 62mm
CAS325M12HM2 1200 3.6 325 Half Bridge 62mm
CAS300M17BM2 1700 8 225 Half Bridge 62mm  
CCS020M12CM2 1200 80 20 6in1  45mm  
CCS050M12CM2   1200 25 50 6in1  45mm  

 

SiC gate-driver solutions

Products Isolation

Voltage(V)

Channels Topology Description Wolfspeed SiC Products Supported
CRD-001 1700 1 Single Basic gate-driver board

for discrete C2M MOSFET

C2Mxx Discrete MOSFETs
CGD15HB62P1 1500 2 Half-bridge Gate-driver board

(engineering solution)

CASXXXM12BM2 family
CGD15HB62LP 1500 2 Half-bridge Gate-driver board

(engineering solution)

CAS325M12HM2
CGD15FB45P1 1500 6 6-pack Gate-driver board

(engineering solution)

CASXXXM12CM2 family
PT62SCMD12 1700 2 Half-bridge Certified gate-driver board

(production solution)

CASXXXM12BM2 family
PT62SCMD17 1700 2 Half-bridge Certified gate-driver board

(production solution)

CASXXXM17BM2 family

 

SiC Bare Die

MOSFET

Products New

Products

Blocking

Voltage

(V)

RDSon (mΩ)

(Tj=25℃)

Typ

Current

Rating (A)

(Tc=100°C) 

Package For New Designs
CPM3-0900-0010A NEW 900 10 140 Bare Die
CPM3-0900-0065A NEW 900 65 Bare Die
CPM3-1000-0065B NEW 1000 65 Bare Die
CPM2-1200-0025B   1200 25 60 Bare Die  
CPM2-1200-0040B 1200 40 40 Bare Die  
CPM2-1200-0080B   1200 80 20 Bare Die  
CPM2-1200-0160B   1200 160 11 Bare Die  
CPM2-1700-0045B   1700 45 48 Bare Die

Schottky Diode

Products New

Products

Blocking Voltage

(V)

Current Rating

(A)

Technology Package For New Designs
CPW2-0600-S006B   600 6 CPW2 Bare Die  
CPW2-0600-S008B   600 8 CPW2 Bare Die  
CPW2-0600-S010B   600 10 CPW2 Bare Die  
CPW3-0600-S002B   600 2 CPW3 Bare Die  
CPW3-0600-S003B   600 3 CPW3 Bare Die  
CPW3-0600-S004B   600 4 CPW3 Bare Die  
CPWR-0600-S001B   600 1 CPWR Bare Die  
CPW2-0650-S006B   650 6 CPW2 Bare Die  
CPW2-0650-S008B   650 8 CPW2 Bare Die  
CPW2-0650-S010B   650 10 CPW2 Bare Die  
CPW2-0650-S016B 650 16 CPW2 Bare Die  
CPW3-0650-S004B   650 4 CPW3 Bare Die  
CPW5-0650-Z030B 650 30 CPW5 Bare Die  
CPW5-0650-Z050B 650 50 CPW5 Bare Die  
CPW2-1200-S050B   1200 50 CPW2 Bare Die No
CPW4-1200-S002B   1200 2 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S005B   1200 5 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S008B   1200 8 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S010B   1200 10 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S015B   1200 15 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S020B   1200 20 CPW4 Bare Die  
CPW5-1200-Z050B 1200 50 CPW5 Bare Die  
CPW3-1700-S010B   1700 10 CPW3 Bare Die  
CPW3-1700-S025B   1700 25 CPW3 Bare Die  
CPW5-1700-Z050B 1700 50 CPW5 Bare Die