富士エレクトロニクス株式会社

取り扱いメーカー

Wolfspeed

メーカー概要


Wolfspeed, A Cree Company は、CREE, Inc.のPower & RF 製品を展開しています。

本社)米国ノースカロライナ州 ダーラム

 

<Wolfspeed, A Cree Company 概要>

Wolfspeedは、CREE Inc. の一環として28年以上に渡りワイドバンドギャップ半導体で世界をリードしており、これらの技術によるシリコンカーバイト(SiC)パワーとガリウムナイトライド(GaN)RFのソリューションで、エネルギー効率の高い未来創出をめざしています。

富士エレクトロニクスでは、エネルギーの効率化を追求する新時代に向け、同社のSiCの特徴を生かしたパワーデバイスソリューションを提供致します。

<Wolfspeed :SiC(シリコンカーバイト)パワーデバイスの主な製品>

  • ・SiC MOSFETs
  • ・SiC Schitoky Diodes
  • ・SiC Power Modules
  • ・Gate Driver Boards

    高耐圧、低損失、高効率、基板の省スペース、システムの軽量化に、シリコン製品の限界を超えた、高信頼性の次世代デバイス、シリコンカーバイト製品が新登場。

    WolfspeedのSiC Powerデバイスは、あらゆる産業機器電源、パワコン、インバータ等に量産採用され始めている注目デバイスです。

     ⇒ Wolfspeed Web Siteはこちら

     ⇒ 新製品ページはこちら

新製品ニュース


■1700V耐圧SiC MOSFETの新製品をリリースしました。

  • 型名:
  • C2M0045170P   (1700V / 45mΩ  / TO-247-4 Plus パッケージ)
  • C2M0080170P   (1700V / 80mΩ  / TO-247-4 Plus パッケージ)
  • 特徴:

    高耐圧/低オン抵抗

    沿面距離 8mm、ドライバーソースピン付き4ピンパッケージ

 

■1200V耐圧SiCショットキーダイオードの新製品をリリースしました。

  • 型名:
  • C4D10120H   (10A / 1200V  / TO-247-2 パッケージ)
  • C4D15120H   (15A / 1200V  / TO-247-2パッケージ)
  • C4D20120H   (20A /  1200V  / TO-247-2パッケージ)

  • 特徴:シリコンカーバイド C4Dシリーズ1200Vショットキーダイオードの新製品

    2ピンのため沿面距離、空間距離が確保でき高電圧アプリケーションに最適C4D20120H

 

900V/30mΩの第三世代MOSFETをリリースしました。

  • 型名: C3M0030090K
  • 特徴:
  • ・900V耐圧、最新の第三世代MOSFET製品
  • ・30mΩ、SiC、業界屈指の低オン抵抗を実現
  • ・TO247 -4パッケージを採用
  • TO247-4 パッケージ:
  • ケルビンソース端子を搭載することで、ソース端子の寄生インダクタンスを低減する事が出来、スイッチング損失を低減する事が可能です。

 

■新パッケージTO247-4 packageを採用した1000V/65mΩの第三世代MOSFETをリリースしました。

  • 型名:C3M0065100K
  • 特徴:
  • ・Wolfspeed製MOSFETの第三世代の1000V耐圧MOSFETです。
  • ・Super Junction MOSFETの置換えにも最適なデバイスとなっております。
  • ・TO247-4 packageを採用。
  • ケルビンソース端子を搭載することで、ソース端子の寄生インダクタンスを低減する事が出来、スイッチング損失を低減する事が可能です。

■新たに650V/16A及び30Aのショットキーバリアダイオードをリリースしました。

下記2製品を新たに加え、さらにラインナップを強化いたしました。

  • 型名:
  • C3D16065A  (650V/16A / TO-220パッケージ)
  • C3D30065D  (650V/30A / TO-247パッケージ)

 

■High performance  62mm Half Bridge Module (1200V/325A )をリリースしました。

  • 型名:CAS325M12HM2 
  • 特徴:
  • ・超低スイッチング損失 ESW = 9.3 mJ
  • ・超低内部インダクタンス Ls = 5nH
  • ・超低オン抵抗 Rds(On) 3.6 mΩ
  • ・AlSiC ベースプレートと 窒化ケイ素絶縁基板によって温度サイクルに対する耐久性が向上しました。
  • ・最大ジャンクション温度 Tjmax = 175 °C

 

■ CAS325M12HM2用ゲートドライバボードを同時リリースしました。

  • 型名:CGD15HB62LP
  • 特徴:
  • ・最大スイッチング周波数 100kHz
  • ・High Performance CAS325M12HM2 Half Bridge Power Modulesに最適化されています。
  • ・低インダクタンスデザイン
  • ・過電流保護、オーバーラップ保護、逆接保護を搭載。
  • ・ヒステリシスを設定可能なUVLOを搭載。

 

■7L D2PAKパッケージ製品用評価ボードがリリースされました。

  • 型名:CRD-5FF0912P
  • 特徴:
  • 7L D2PAKパッケージのWolfspeed第3世代SiC MOSFETの高速スイッチング性能をご評価頂けます。
  • 具体的には、高電圧MOSFETのために設計された新しい表面実装デバイス(SMD)は、ドレイン - ソース間の7ミリメートルの広い沿面距離と小さなフットプリントを実現しております。
  • 新しいパッケージは、ゲートリンギングを減少させ、綺麗なゲート信号を提供するソースのケルビン端子を含みます。
  • 評価ボードは事前に絶縁されたヒートシンク、クーリングファン、2つのMOSFET(C2M0120090J)が実装されており、ハーフブリッジの回路構成となっております。

    テストピンを立てるスルーホールが用意されておりますので、波形の測定も容易に実施可能です。

 

■第3世代MOSFETリリース

  • 第3世代はWolfspeed製MOSFETの最新の世代の製品です。
  • Super Junction MOSFETの置換えに最適なデバイスとなっております。

  • 主な特徴

  1. オン抵抗の温度依存性が非常に小さい ⇒ Tj=25℃⇒Tj=150℃で約1.4倍と非常に小さい温度依存性を実現。
  2. 非常に小さい寄生容量 ⇒ Qg、Ciss等容量特性に優れており、高速スイッチングに最適。
  3. ボディダイオード ⇒ Qrrが非常に小さく、Trrは製品によって異なりますが、7L D2PAKで十数nsと非常に高速であり、リカバリーロスの低減に貢献します。

詳細なスペックは下記製品のデータシートをご確認下さい。

 

1700V/1Ω MOSFETがソースのケルビン端子付きの新パッケージにてリリースされました。

  • 型名:C2M1000170J
  • 特徴:
  • 新パッケージ 7LD2PAK (TO-263-7)
  • 製品型名の末尾がパッケージ種別を表しており、「J」の付くものが7LD2PAKの製品となっております。
  • ケルビンソース端子を搭載することで、ソース端子の寄生インダクタンスを低減する事が出来、スイッチング損失を低減する事が可能です。

    左から、1.ゲート、2.ケルビンソース、3~7.ソース、TAB.ドレイン

ディスクリート製品評価ボード


■To-247-4対応MOSFET評価用ボードをリリースしました

  • 型名:KIT8020-CRD-5FF0917P-2
  • 特徴:
  • ・TO-247-4 4ピンパッケージ品用
  • ・第三世代C3Mシリーズに適合

■7L D2PAKパッケージ製品用評価ボード

  • 型名:CRD-5FF0912P
  • 特徴:
  • 7L D2PAKパッケージのWolfspeed第3世代SiC MOSFETの高速スイッチング性能をご評価頂けます。
  • 具体的には、高電圧MOSFETのために設計された新しい表面実装デバイス(SMD)は、ドレイン - ソース間の7ミリメートルの広い沿面距離と小さなフットプリントを実現しております。
  • 新しいパッケージは、ゲートリンギングを減少させ、綺麗なゲート信号を提供するソースのケルビン端子を含みます。
  • 評価ボードは事前に絶縁されたヒートシンク、クーリングファン、2つのMOSFET(C2M0120090J)が実装されており、ハーフブリッジの回路構成となっております。

    テストピンを立てるスルーホールが用意されておりますので、波形の測定も容易に実施可能です。

 

■TO247-3パッケージ製品用評価ボード

  • 型名:KIT8020CRD8FF1217P-1
  • 特徴:

    MOSFETを2つ、Diodeを2つを実装し、ハーフブリッジ回路構成となっておりますので、昇圧チョッパ、降圧チョッパ、フルブリッジ、ダイオードブリッジ等様々な回路を構成でき、同軸コネクタやテストピンも実装されておりますので測定が容易です。

    付属品には、C2M0080120D 80 mohm MOSFET x 2、C4D20120D 20A Diode x 2 が付属し、すぐにSiCの動作を確認することが可能となっており、他には絶縁シート、放熱フィン、ネジ、ワッシャー等必要なが全て揃っており、すぐに評価環境を構築する事が可能です。

 

他にも技術内容に関する情報をWolfspeed webよりご覧いただけます。

富士エレクトロニクス オリジナル製品カタログ


Wolfspeed製品ラインナップのA3両面印刷2つ折り用ダウンロードはこちら

製品ラインナップ

SiC Power MOSFET

Products New

Products

Blocking

Voltage

(V)

RDSon (mΩ)

(at 25℃)

Current

Rating (A)

(at 25°C) 

Package For New Designs
C3M0030090K New 900 30 63 TO-247-4
C3M0065090J 900 65 35 7L D2PAK  
C3M0065090D 900 65 36 TO-247-3  
C3M0120090D 900 120 23 TO-247-3
C3M0120090J 900 120 22 7L D2PAK
C3M0280090D 900 280 11.5 TO-247-3  
C3M0280090J 900 280 11.5 7L D2PAK
C3M0065100K 1000 65 35 TO-247-4  
C3M0065100J 1000 65 35 7L D2PAK 
C3M0120100J 1000 120 22 7L D2PAK
C3M0120100K 1000 120 22 TO-247-4
C2M0025120D   1200 25 90 TO-247-3  
C2M0040120D 1200 40 60 TO-247-3  
C3M0075120K 1200 75 30 TO-247-4
C3M0075120J New 1200 75 30 7L D2PAK
C2M0080120D   1200 80 36 TO-247-3  
C2M0160120D   1200 160 19 TO-247-3  
C2M0280120D 1200 280 10 TO-247-3  
C2M0045170D 1700 45 72 TO-247-3
C2M0045170P 1700 45 72 TO-247-4 Plus
C2M0080170P 1700 80 40 TO-247-4 Plus
C2M1000170D   1700 1000 5 TO-247-3
C2M1000170J 1700 1000 5.3 7L D2PAK

 

SiC Schottky Diode

Products New

Products

Blocking Voltage

(V)

Current Rating

(A)

Technology Package For New Designs
C3D02060A   600 2 C3D TO-220-2  
C3D02060E   600 2 C3D TO-252-2  
C3D02060F   600 2 C3D TO-220-F2  
C3D03060A   600 3 C3D TO-220-2  
C3D03060E   600 3 C3D TO-252-2  
C3D03060F   600 3 C3D TO-220-F2  
C3D04060A   600 4 C3D TO-220-2  
C3D04060E   600 4 C3D TO-252-2  
C3D04060F   600 4 C3D TO-220-F2  
C3D06060A   600 6 C3D TO-220-2  
C3D06060F   600 6 C3D TO-220-F2  
C3D06060G   600 6 C3D TO-263-2  
C3D08060A   600 8 C3D TO-220-2  
C3D08060G   600 8 C3D TO-263-2  
C3D10060A   600 10 C3D TO-220-2  
C3D10060G   600 10 C3D TO-263-2  
C3D16060D   600 16 C3D TO-247-3  
C3D1P7060Q   600 1.7 C3D QFN  
C3D20060D   600 20 C3D TO-247-3  
CSD01060A   600 1 CSD TO-220-2  
CSD01060E   600 1 CSD TO-252-2  
C3D02065E 650 2 C3D TO-252-2  
C3D03065E 650 3 C3D TO-252-2  
C3D04065A   650 4 C3D TO-220-2  
C3D04065E 650 4 C3D TO-252-2  
C3D06065A   650 6 C3D TO-220-2  
C3D06065E 650 6 C3D TO-252-2  
C3D06065I   650 6 C3D TO-220 Isolated  
C3D08065A   650 8 C3D TO-220-2  
C3D08065E 650 8 C3D TO-252-2  
C3D08065I   650 8 C3D TO-220 Isolated  
C3D10065A   650 10 C3D TO-220-2  
C3D10065E 650 10 C3D TO-252-2  
C3D10065I   650 10 C3D TO-220 Isolated  
C3D12065A 650 12 C3D TO-220-2
C3D16065A 650 16 C3D TO-220-2  
C3D16065D 650 16 C3D TO-247-3  
C3D20065D 650 20 C3D TO-247-3  
C3D30065D 650 30 C3D TO-247-3  
C5D50065D 650 50 C5D TO-247-3  
CVFD20065A 650 20 Low VF TO-220-2  
C4D02120A   1200 2 C4D TO-220-2  
C4D02120E   1200 2 C4D TO-252-2  
C4D05120A   1200 5 C4D TO-220-2  
C4D05120E   1200 5 C4D TO-252-2  
C4D08120A   1200 8 C4D TO-220-2  
C4D08120E   1200 8 C4D TO-252-2  
C4D10120A   1200 10 C4D TO-220-2  
C4D10120D   1200 10 C4D TO-247-3  
C4D10120E   1200 10 C4D TO-252-2  
C4D10120H   1200 10 C4D TO-247-2  
C4D15120A   1200 15 C4D TO-220-2  
C4D15120D 1200 15 C4D TO-247-3
C4D15120H   1200 15 C4D TO-247-2  
C4D20120A   1200 20 C4D TO-220-2  
C4D20120D   1200 20 C4D TO-247-3  
C4D20120H   1200 20 C4D TO-247-2  
C4D30120D   1200 30 C4D TO-247-3  
C4D40120D   1200 40 C4D TO-247-3  
C3D10170H   1700 10 C3D TO-247-2  
C3D25170H   1700 25 C3D TO-247-2  

 

SiC Power Module

Products New

Products

Blocking voltage

(V)

RDSon (mΩ)

(at 25℃)

Current

Rating (A)

Package For New Designs
CAS120M12BM2 1200 13 120 Half Bridge 62mm  
CAS300M12BM2   1200 4.2 300 Half Bridge 62mm  
WAS300M12BM2 1200 4.2 300 Half Bridge 62mm
CAS325M12HM2 1200 3.7 325 Half Bridge 62mm
CAS300M17BM2 1700 8 225 Half Bridge 62mm  
CCS020M12CM2 1200 80 20 6in1  45mm  
CCS050M12CM2   1200 25 50 6in1  45mm  

 

SiC gate-driver solutions

Products Isolation

Voltage(V)

Channels Description Wolfspeed SiC Products Supported
CRD-001 1700 1 Basic Gate-driver board for discrete C2M MOSFET C2M Discrete MOSFETs
CGD15HB62P1 1200 2 Gate-driver board

(engineering solution)

CAS120M12BM2

CAS300M12BM2

CGD15HB62LP 1500 2 Gate-driver board

(engineering solution)

CAS325M12HM2
CGD15FB45P1 1200 6 Gate-driver board

(engineering solution)

CCS020M12CM2

CCS050M12CM2

CGD15SG00D2 1700 1 Basic Gate-driver board for discrete C2M, C3M MOSFET C2M, C3M Discrete MOSFETs

 

SiC Bare Die

MOSFET

Products New

Products

Blocking

Voltage

(V)

RDSon (mΩ)

(at 25℃)

Current

Rating (A)

(at 25°C) 

Package For New Designs
CPM3-0900-0010A NEW 900 10 196 Bare Die
CPM3-0900-0030A NEW 900 30  66 Bare Die
CPM3-0900-0065B NEW 900 65  36 Bare Die
CPM3-1000-0065B NEW 1000 65  36 Bare Die
CPM2-1200-0025B   1200 25 98 Bare Die  
CPM2-1200-0040B 1200 40 63 Bare Die  
CPM2-1200-0080B   1200 80 36 Bare Die  
CPM2-1200-0160B   1200 160 19 Bare Die  
CPM2-1700-0045B   1700 45 72 Bare Die
CPM2-1700-0080B 1700 80 40 Bare Die

Schottky Diode

Products New

Products

Blocking Voltage

(V)

Current Rating

(A)

Technology Package For New Designs
CPW2-0600-S006B   600 6 CPW2 Bare Die  
CPW2-0600-S008B   600 8 CPW2 Bare Die  
CPW2-0600-S010B   600 10 CPW2 Bare Die  
CPW3-0600-S002B   600 2 CPW3 Bare Die  
CPW3-0600-S003B   600 3 CPW3 Bare Die  
CPW3-0600-S004B   600 4 CPW3 Bare Die  
CPWR-0600-S001B   600 1 CPWR Bare Die  
CPW2-0650-S006B   650 6 CPW2 Bare Die  
CPW2-0650-S008B   650 8 CPW2 Bare Die  
CPW2-0650-S010B   650 10 CPW2 Bare Die  
CPW2-0650-S012B 650 12 CPW2 Bare Die
CPW2-0650-S016B 650 16 CPW2 Bare Die  
CPW3-0650-S004B   650 4 CPW3 Bare Die  
CPW5-0650-Z030B 650 30 CPW5 Bare Die  
CPW5-0650-Z050B 650 50 CPW5 Bare Die  
CPW4-1200-S002B   1200 2 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S005B   1200 5 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S008B   1200 8 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S010B   1200 10 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S015B   1200 15 CPW4 Bare Die  
CPW4-1200-S020B   1200 20 CPW4 Bare Die  
CPW5-1200-Z050B 1200 50 CPW5 Bare Die  
CPW3-1700-S010B   1700 10 CPW3 Bare Die  
CPW3-1700-S025B   1700 25 CPW3 Bare Die  
CPW5-1700-Z050B 1700 50 CPW5 Bare Die