取り扱いメーカー

オン・セミコンダクター(旧フェアチャイルド)

ONセミへ統合


   この度、フェアチャイルドはオン・セミコンダクターの一部となりました。

   ひとつになることで、より幅広い製品群、重点市場(車載/産業/ワイヤレス)へのさらなる貢献、

   より充実した技術/販売サポートをご提供して参ります。


メーカニュース

2016年9月21日 クラス最高の効率と信頼性を誇る SuperFET Ⅲ MOSFET ファミリーを発表

2016年9月2日 新バックブースト・レギュレーター「FAN49103」を発表

2016年7月28日 最新のUSB Type-C規格に対応した 新製品「FUSB302B」を追加

2016年7月26日 IoT実現への基礎となるPoE機器向けに クラス最高性能を実現した新製品「FDMQ8205」を発表

2016年5月23日スマートLED照明機器の開発を簡素化する “AC直接駆動LEDドライバー”「FL77944」が日経TechOnに掲載!

2016年5月23日スマートLED照明機器の開発を簡素化する “AC直接駆動LEDドライバー”「FL77944」を発表

2016年3月23日 100VシールデットゲートPowerTrench®MOSFET"FDMS86181"が日経TechOnに掲載!

2016年3月22日 100VシールデットゲートPowerTrench®MOSFET"FDMS86181"を発表

2016年3月15日 1200VSiCダイオード"FFSH4010ADN"を発表

2015年9月1日 DualCool88PKG採用の新中耐圧MOSFETを発表

2015年7月23日 USB Type-C製品について

2015年6月17日 MEMS製品の販売開始について

2015年6月15日 第4世代フィールドストップIGBTについて

2015年3月17日 175℃定格の新中耐圧MOSFETについて

2015 年3 月10 日 800VSuperFETII MOSFETを発表

製品ラインナップ

■取り扱い製品カテゴリー

アナログ&ミックストシグナル

オートモーティブ製品

ディスクリート

照明用IC

オプトエレクトロニクス

パワーマネージメント

センサー

■取り扱いパッケージ

パッケージタイプ

リード線/端子

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パワーデバイス製品カタログ(セレクションガイド)

        

■Bipolar Transistors & Diodes & Rectifiers  Selector Guide Rev2.0(2016年3月22日更新)

 ダウンロードはこちらから⇒ 

■Power MOSFET / IGBT Selector Guide Rev3.0(2016年3月22日更新)

 ダウンロードはこちらから⇒ 

■モータードライブソリューションデバイス一覧(New

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デザインツール

フェアチャイルド社のパワーサプライWebDesignerを使えば、素早くシステムの設計や最適化ができます。 デバイスの選択、設計、分析、およびシミュレーションは分単位の時間しかかかりません。なぜならば、フェアチャイルド社が、電源のモデル、計算、および反復ステップをツールの中に作りこんだからです。 新規あるいは熟練のエンジニアの双方のために作られたWebDesignerは、設計とシミュレーションの自動化において業界をリードする性能と柔軟性を持ち、ハードウェアのプロトタイプでの試行錯誤の必要なしに、効果、効率、および信頼を向上させます。 今日から設計のサイクルを何日も何週も短くすることをはじめましょう。

※上記画像をクリックしますと、メーカページのWebDesignerページが開きます。

パワーサプライ WebDesignerTM 簡易マニュアルはこちら

 

フェアチャイルド技術サポートフォーラムサイトの日本語化


一般的な問題を即座に解決するためのよくある質問などの、技術的なディスカッションやサポートに向けたフェアチャイルド社のオンラインフォーラムサイトが日本語化致しました。

 

※上記画像をクリックしますと、メーカページのオンラインフォーラムサイトページが開きます。


 

20160921表題

本日(2016 年 9 月 21 日)、オン・セミコンダクターの一部門であるフェアチャイルド セミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区)は、650V 耐圧 N チャネル MOSFET の SuperFET® Ⅲファミリーを発表しました。この新世代 MOSFET は最新の通信 機器、サーバー、電気自動車 (EV)向け充電器、ソーラー発電システムに必須とされ る高度な電力密度、システム効率ならびに卓越した信頼性要件を満たすものです。

SuperFET Ⅲ MOSFET ファミリーはクラス最高の信頼性と低 EMI(電磁障害)ノイズ、優 れた効率と卓越した熱特性等をあわせ持ち、ハイパフォーマンスのアプリケーション に理想的な選択肢といえます。そのパフォーマンス特性に加えて、幅広いパッケージ オプションによって、お客様は特に基板面積/製品サイズへの制限がある製品設計に おいて高い柔軟性を手にすることが可能となります。

「業界を問わず、お客様は次世代の製品に効率/性能/信頼性の大幅な向上を求めてお り、かつ、新製品をより早く市場に投入すべく取り組んでおられます。新たな SuperFET Ⅲ MOSFET をご使用いただくことでお客様の大切な製品の目標開発期間を達 成するお手伝いをすると同時に、弊社製品が BOM(基板上の部品)コストを削減し、基板サイズを縮小して、製品設計の簡素化を確実に実現します。」と、Jin Zhao(弊社 ハイパワーインダストリアル事業部門 担当副社長兼本部長)は述べています。

弊社のスーパージャンクション MOSFET における Easy-Drive シリーズの中で、 SuperFET Ⅲテクノロジーの当製品は、最も低いオン抵抗(Rdson)を達成し、クラス最 高の効率を実現しました。これは高度なチャージバランス技術によって実現され、さ らに同一パッケージサイズにおいてその前世代の SuperFET Ⅱよりも 44%低いオン抵 抗(Rdson)を実現しました。

SuperFET Ⅲファミリーの卓越した耐久性と信頼性を実現するための重要な要素は、 クラス最高のボディダイオードと、類似の競合製品よりも 3 倍優れたシングルパル ス・アバランシェ・エネルギー(EAS) 性能です。

650V 耐圧 SuperFET Ⅲにおいて、ターンオフ時のピーク・ドレイン-ソース電圧が低 くなるということは低温動作時のシステム信頼性の向上につながります。これは、 -25℃のジャンクション温度では、ブレイクダウン電圧が室温と比較して通常約 5%低 下し、かつ低温下ではピーク・ドレイン-ソース電圧がより高くなるからです。 これらの信頼性向上によるメリットは、ソーラーインバーター、無停電電源装置 (UPS)、EV 充電器など、より高温もしくは低温の外部環境温度に耐えることが要求さ れる産業分野のアプリケーションで特に重要となります。SuperFET Ⅲ MOSFET ファミ リーは複数のパッケージとパラメーターオプションで、量産開始済み、サンプルも今 すぐご入手頂けます。

型番 RDS(on) (MAX)(mΩ)@VGS=10V Qg(Typ)(nC)@VGS=10V パッケージ
FCH023N65S3L4 23 222  TO-247 4L
FCH023N65S3 23 222  TO-247 3L
FCH067N65S3 67 78  TO-247 3L
FCP067N65S3 67 78  TO-220 3L
FCPF067N65S3 67 78  TO-220F 3L
FCB070N65S3 70 78  TO-263 2L (D2-PAK)

フェアチャイルドの SuperFET Ⅲ MOSFET ファミリーに関する詳細情報は fairchildsemi.co.jp/superfet をご覧ください。

ラインナップ

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新商品情報 100VシールデットゲートPowerTrench® MOSFET"FDMS86181"を発表

本日(2016年3 月22日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略す)は、最新世代の100V耐圧 N-チャネルMOSFETの主力製品となる100V シールデットゲートPowerTrench® MOSFET「FDMS86181」を発表しました。この「FDMS86181」はフェアチャイルドの最新世代のパワートレンチMOSFET技術を用いた第一弾の製品で、効率化への飛躍的な改善と100V MOSFETを使用せざる得ない電源やモーターその他のアプリケーションにおいて電圧リンギングの低減と低EMI(電磁干渉)を実現します。

フェアチャイルドは約25年前からパワートレンチMOSFETを推し進め、それを成功させてきた先駆者です。そしてその最新世代のMOSFET製品は、顧客の電源システムにおけるほぼ全ての要求に答え、競合他社に先んじ、且つこれまでと同様にファアチャイルドをMOSFET技術開発のトップランナーと位置づけるものです。

“フェアチャイルドのこの新たな100V N-チャネルMOSFETは、業界をリードして来た現行のPowerTrench MOSFETを大躍進させたものです。その特性が飛躍的に改善され、且つほとんどの競合他社製品に対し、その効率から信頼性までのすべての性能項目で勝っています。”とフェアチャイルドのiFET製品部門のゼネラルマネージャーのSuman Narayanは語っています。

この新たな「FDMS86181」の最大の利点は導通損失に寄与するオン抵抗(Rdson)を40%低減し、同時にスイッチング損失を低減するゲート電荷(Qg)の最小化を実現していることです。さらに、ずば抜けて低い逆回復電荷(Qrr)はリンギングの発生源となる電圧のオーバーシュートをほとんど除去すると同時に、製品設計におけるスナバの削減もしくは除去及びEMIの低減を可能にします。この類を見ない利点により、「FDMS86181」は基板サイズと基板上の部品コスト(BOM)の双方を同時に削減します。

新製品100V パワートレンチMOSFETのサンプルおよび詳細については、PowerTrench MOSFETの製品フォルダーをご覧ください。

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新商品情報 1200VSiCダイオード"FFSH4010ADN"を発表

本日(2016年3 月15日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略す)は、1200V シリコンカーバイド (SiC) ダイオード「FFSH40120ADN」を発表しました。この製品は、今後品揃えを増加させるSiC製品の第一弾です。この1200Vダイオードは、優れたスイッチング性能、高い信頼性、低EMI (電磁干渉) といった長所を兼ね備えていることから、次世代のソーラーインバーター、産業用モーターコントロール、溶接機といった高電力密度で高効率化がますます求められる高信頼性産業用途に最適です。

「市場トレンドと厳格化している業界基準という2つの要因を受け、エネルギー効率の高い製品に対するニーズが高まっています。当社の新しい1200V SiCダイオードは、このように高まる一方のエネルギー効率要件を満たしつつ、信頼性、耐久性、費用対効果の向上をお客様が達成する手助けとなる製品です」とフェアチャイルドのHigh Power Industrial部門のJin Zhao副社長兼ゼネラルマネージャーは開発趣旨を説明しています。「このダイオードでは、物性でシリコンを大幅に上回る性能を持つことから、シリコンカーバイドを基盤としました。今後、新たなSiCベースの半導体ソリューションを投入し、シリーズを拡充していきます」

「FFSH40120ADN」ダイオードは、リーク電流がクラス最小レベルの小ささで、175℃でのリーク電流値は競合製品をはるかに下回ります。超高速スイッチングや逆回復電流が流れないといったこの1200V SiCダイオードの主な特長により、スイッチング損失はシリコンより著しく低減され、高効率を実現します。また、スイッチング速度を高めることで、製品に使われる磁気コイルや関連する受動部品の小型化が可能となるため、パッケージング効率の向上、システムの軽量化、部品コスト削減にも寄与します。

このほかに、広範な温度領域で安定したスイッチングが可能であること、回復電圧がゼロのため電圧オーバーシュートが発生しないなどのこのダイオードの特徴も、卓越した性能を裏付けています。

「FFSH40120ADN」は、シリコンに比べ熱性能に優れたSiCを採用しているため、同等のシリコンベースダイオードに比べ、耐久性と信頼性も大きく上回ります。 SiCの破壊電界はシリコンの10倍、熱伝導率はシリコンの3倍に達します。

フェアチャイルドは、3月20~24日に米カリフォルニア州ロングビーチで開催されるAPEC会議に参加し、この新しい1200V SiCダイオードの性能を1717番ブースで実演します。

新製品1200V SiCダイオードのサンプルおよび詳細については、「FFSH40120ADN」の製品フォルダをご参照ください。

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新商品情報 DualCool88PKG採用の新中耐圧MOSFETについて

本日(2015年9月1日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略)は、8mm 角Dual Cool™パッケージ(“Dual Cool™ 88”)を採用した高性能中耐圧MOSFETを発表しました。新製品の”Dual Cool 88” MOSFETは、従来のD2-PAKパッケージを置き換えうる製品で、半分のサイズでありながら、より大きな許容損失を有し、パッケージ下部及び上部の放熱板から放熱することにより、より高い電力効率と放熱特性を実現します。

キャッスルクリエーション社(Castle Creations, Inc)のパトリック・カスティーヨCEOは、次のように語っています。「フェアチャイルドの”Dual Cool 88”製品は、当社の主要顧客に魅力的なソリューションを提供する上で重要な役割を果たしてくれました。低Rds(on)でありながら薄く小型で場所をとらない“Dual Cool 88” MOSFETにより、最小ながら低コストでもっとも効率の良い高出力ブラシレスDCモーター・アプリケーションを実現することができたのです。」 加えて、フェアチャイルドのマーケティング・ディレクターのるマイク・スピードは、「我々のお客様は、業界内の規制とマーケットの要望の双方を満足するため、よりスマートで小さく、高効率といったトレンドに適合した製品を提案していくことが求められています。 “Dual Cool 88” MOSFETは、より優れた性能、電力密度、効率をD2-PAKパッケージの半分のサイズで提供しています。それによりお客様は、より高効率で高い信頼性の製品を、低コストで開発できます。」と語っています。

お客様は、D2-PAKよりも優れた”Dual Cool 88”パッケージのMOSFETを使用することで、より高効率かつ低コストのDC モーターを実現可能になります。効率の改善とコストの削減が同時に実現したのは、小さく、薄く、軽い(93%の軽量化)といった、D2-PAKを上回る”Dual Cool 88”パッケージの特長によるものです。そのため、ドローンや模型飛行機など重量が問題となるアプリケーションには最適です。

また、D2-PAKと比較して、”Dual Cool 88”パッケージは、より高速なスイッチング、EMIの減尐、電力密度の向上、寄生インダクタンスによる損失の低減を実現しています。寄生インダクタンスによる損失の低減は、ワイヤーボンドではなくソースクリップを使用することで達成されています。さらに、D2-PAK製品よりも63%低いソースインダクタンスによって、高いパルス電流を扱うことが可能です。

加えて、”Dual Cool 88”は耐湿性に優れるため、保管や輸送等の取り扱いが容易です。このパッケージはMSL1(Moisture Sensitivity Level 1)に分類されています。

供給状況

“Dual Cool 88” MOSFETは、現時点で弊社代理店から入手可能です。

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新商品情報 USB Type-C製品について


本日(2015年7月23日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略)は、スマートホン、PC、ACアダプター、その他USBポートを使った製品に、機器メーカーが次世代のUSB機能を即座に、かつ簡単に追加することが可能なUSB Type-C製品の総合的な製品群を発表しました。他社の製品と比べ、低消費電力かつ小型なフェアチャイルドのUSB Type-C対応製品はより良い電力効率を実現し、システムとしての消費電力を抑え、極薄かつスマートな製品をめざすお客様に最適です。

「電力消費が10倍以上の他社製品と比べると、フェアチャイルドのUSB Type-C製品群は低消費電力と小型化の双方で業界最先端です。今日その生産数が増加している小型かつ極薄の電池駆動の機器においてこの2つは重要な必要条件です。」と、フェアチャイルドのJin Zhao(Sr.Director, Product Line Business Management)は語っています。「世界初のUSB Type-Cを搭載したスマートホンを初め、フェアチャイルドのUSB Type-Cを使った製品化を行い、すでに市場における優位な立場を確立したお客様もいます。」

フェアチャイルドのUSB Type-C製品は、お客様の開発製品に最適な組み合わせによる柔軟な部品選定ならびに、さらなる選択の余地を与えます。弊社USB Type-C製品のプラットフォーム上の製品にはケーブルの装抜、向き、ポートの種類 (Dual Role Port, Downstream Facing Port, Upstream Facing Port)といった、基本機能に特化した製品があります。その一方で、新技術のUSB PD(Power Delivery)機能:「データ帯域、電力容量、リセット機能、アクティブケーブルのサポート、Vendor Defined Messaging (VDM)通信、100Wの電力供給等」といった、先進機能を備えた製品も用意しています。

当社の新たなUSB Type-C製品は小型パッケージにより、容易に製品開発に組み込むことができます。特にFUSB302はUSB PD機能を持ちつつも、1.2 x 1.3 x 0.6mmの 超小型WLCSP パッケージを採用、競合他社に比べて数分の1の大きさにより、サイズによる制約が少なく柔軟な設計が可能です。

フェアチャイルドのUSB Type-C製品はアプリケーションのホストプロセッサへの制御と命令をI2C インターフェースを介して行うことで、同一チップ上のマイコン機能を不要としました。この切り分けが、最高の低消費電力と小型化を同時に実現させています。

フェアチャイルドのUSB Type-C製品に関する、詳細情報は、フェアチャイルド社ホームページ上のUSB Type-C製品情報のページでご覧いただけます。

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新商品情報 MEMS製品の販売開始について


※1 センサーフュージョン:複数のセンサからのデータをインテリジェントに

組み合わせるアルゴリズムやソフトウェア技術

※2 MEMS:Micro Electro Mechanical Systems *3 IMU: Inertial Measurement Unit

 

本日(2015年6月17日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略)は、MEMS 6軸慣性測定ユニット(IMU)「FIS1100」の販売を開始したと発表しました。この「FIS1100」は、ワンパッケージ(3.3 x 3.3 x 1 mm)内に6軸MEMSセンサーと独自のコ・プロセッサー(AttitudeEngineモーションプロセッサー)を内蔵。さらにシステムレベル・ソリューションを簡単に組み込むことができるクラス最高の「9軸(XKF3)センサーフュージョン」アルゴリズムを併せて使用することで、電池駆動の幅広いモーション・アプリケーションにおいて、処理時の消費電力を1/10まで低減という卓越した経験を設計者の方々に提供します。また、本製品はMEMSとモーショントラッキングに戦略的に投資してきたフェアチャイルド初のMEMS製品です。

「フェアチャイルド初となるMEMS製品の発売は、弊社にとって重要かつ画期的な出来事です。弊社固有の設計製造技術を生かし、パワー以外のシステムレベル ソリューションにも乗り出す製品だからです。 Xsens社の買収により、弊社は最先端のアルゴリズムとアプリケーションへの高度な技術情報を取得しました。民生、産業、健康向け市場の様々な急成長分野において、お客様の高度なモーションソリューション開発をお手伝いが可能です」と、フェアチャイルド取締役会長兼CEOのマーク・トンプソンは語っています。

「FIS1100」 IMUは、コ・プロ(AttitudeEngineモーションプロセッサー)と「XKF3センサーフュージョン」技術により構成される低消費電力かつ高精度なシステムソリューションを提供します。 スポーツ、フィットネス、健康用途のウェアラブルセンサー、歩行者ナビゲーション、自律ロボット、仮想・拡張現実など、幅広いアプリケーションに必要な常時オンのセンサー技術をお客様にお使い頂けます。

「民生機器へのモーショントラッキング機能搭載は、ゲームのインターフェースやスマートフォンから、多数の新しいIoMT(Internet of Moving Thing)用途に至るまで急速に広がりました。設計担当者はモーション対応の製品で差別化を目指しており、このモーションプロセッサーを内蔵した一体型IMUならびに完備されたソフトウェアーソリューションの提供は、製品化までの開発設計期間を短縮し、小型化やバッテリー寿命の延長、モーショントラッキング精度といったトレードオフ関係にある目標をバランスよく満たすことができます」と、IHS社ディレクター兼MEMS/センサー担当主席アナリストのジェレミー・ブショー氏は語っています。

「FIS100」に内蔵された「AttitudeEngineモーションプロセッサー」は6軸慣性データを内部で高速処理した上で、アプリケーションのニーズに合わせてホストプロセッサーへの出力を低速で行うため、割り込みの頻度を激減できます。 その結果、システムプロセッサーのスリープモード時間が延長されるため、機能や精度を犠牲にすることなく、民生機器等でのバッテリー寿命を延長できます。さらに、 同時提供の「高性能9軸(XKF3)センサーフュージョン」アルゴリズムは、「FIS100」内の3軸加速度センサーと3軸ジャイロセンサーのデータに、外付けの3軸地磁気センサーのデータを統合します。 「XKF3センサーフュージョン」には、精度、整合性、流動性の性能を高めるバックグラウンド・オートキャリブレーション機能も組み込まれています。 「XKF3センサーフュージョン」アルゴリズムと組み合わせることで、「FIS1100」は、ピッチ/ロール精度±3°、ヨー精度±5°の指向性(四元)スペックをワンパッケージ上で実現する世界初の民生用途向け慣性計測ユニット(IMU)です。

「FIS1100」には、慣性センサーに特化したフェアチャイルド独自のMEMSプロセスが使用されています。 このプロセスは、性能、サイズ、堅牢性の最適化のため特長的設計要素があります。 具体的には、高アスペクト比、Si貫通電極(TSV)相互接続、垂直電極を備えた業界トップクラスの60 μmデバイス層、シングルチップ・ジャイロセンサー、独自のデュアルバキューム設計の加速度センサーなどです。

■供給状況

FIS1100は、現時点で入手可能。お客様からのサンプル、ご発注のご要望をお受けしております。

詳細につきましてはこちらのサイトをご覧ください。

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新商品情報 第4世代フィールドストップIGBTについて


※IGBT= Insulated Gate Bipolar Transistor(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)

本日(2015年6月15日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略)は、エネルギー損失を30%削減した650V及び1200V 第4世代フィールドストップ(FS)IGBTを発表しました。産業機器および自動車分野での高速および中速スイッチングアプリケーションに特化した新しい設計技術を用いたものです。同時に強力なラッチアップ耐性を実現し、業界最高レベルの優れた耐久性と信頼性を有しています。 今回、PCIMアジア2015(6/24-26、上海)にて、いくつかのアプリケーションでのテスト結果とともに、その手法についての発表を行います。

「メーカーの技術者は最先端のIGBTに大変関心を持っています。なぜなら、IGBTのスイッチング損失が削減されれば、彼らの製品の効率を高めることになるからです。また、電気自動車やソーラー電力システムから、高効率HVACアプリケーションや産業用インバーターに至るまで、電力損失の最小化は自ずと最高レベルの効率達成のための鍵となりまと、IHS社のシニアアナリストのVictoria Fodale氏は語っています。

フェアチャイルドは、新しいセルフアラインド・コンタクト技術を用いた高密度ピッチ、セルフバランス・セル構造を採用し、非常に高い電流密度と、-40ºCから175ºCの全温度範囲にわたる非常に優れたダイナミックスイッチング特性を実現しています。この新しい設計技術により、お客様は低飽和電圧(Vce(sat) = ~1.65V)と低スイッチング損失(Eoff = 5μJ/A)の卓越したトレードオフ性能を備えた第4世代フィールドストップIGBTを用いて、より高いシステム効率を達成することが可能になります。さらにこの新世代製品の発表に伴い、フェアチャイルドは、すべての低電圧および高電圧のパワーデバイス向けに最適化した、高効率設計とシミュレーションを実現する基本パッケージを提供いたします。

「フェアチャイルドの新技術には、非常に微細なセルピッチ設計により可能となる極度に高い電子注入効率、および新しいバッファー構造により制限される正孔キャリア注入、などが含まれます。これらの技術革新は特性上の優位性を著しくもたらすと同時に、弊社IGBTによる多大な電力の効率的な制御の実現という、フェアチャイルドがメーカーの技術者の方々に提供する新たな解決策です。」と、フェアチャイルド社フェローのThomas Neyerは語っています。

PCIMアジア2015での6/25(木)12:30-14:00のポスターセッションにおいて、フェアチャイルドによる以下の2つのIGBT関連の技術発表が行われます。

フェアチャイルドの第4世代フィールドストップ(FS) IGBT製品ファミリーの詳細は、2015年第4四半期に明らかにされます。弊社の第4世代フィールドストップ(FS) IGBT技術のホワイトペーパー(技報)を含んだ、より詳しい技術・製品情報に関しては、弊社IGBT製品情報のページでご覧いただけます。

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新商品情報 175℃定格の新中耐圧MOSFETについて


30Vから150Vのアバランシェ電圧範囲(Bvdss)の新たな19製品のMOSFETは、業界標準の150° C定格のMOSFETと比較して、電力密度を最大85%改善し、3倍高い信頼性を実現いたします。

カリフォルニア州サンノゼ – 2015年3月17日 –Fairchild (NASDAQ: 高性能パワー半導体ソリューションのグローバルサプライヤーであるフェアチャイルドは、175℃で動作可能な中耐圧MOSFET(ET MOSFET)のラインナップを揃えることで製品の信頼性と性能の改善を実現します。 業界標準の150° C定格のMOSFETと比較して、より高い動作温度にて最大で85%高い電力密度と、3倍高い信頼性を実現いたします。

この新たなET MOSFETシリーズは、IPC-9592に準拠しており、標準の150°C MOSFETの125°Cと比較して、最高接合部温度は150° Cまで可能となり、さらなる設計余裕が可能となります。 ET MSOFETシリーズには新たな19のデバイスが含まれ、5 mm x 6 mm、3 mm x 3 mmの標準パッケージと、新たなTO-リードレス (TO-LL) パッケージの両方が利用可能です。 デバイスは、30V、40V、60V、80V、100V、120V、150Vを含む、幅広い範囲の定格電圧での提供です。

フェアチャイルドのET MOSFETシリーズは、優れた耐熱性、高い電力密度、そして改善された信頼性の卓越した組み合わせにより、DCDC、ACDC等の電力供給用途に最適です。また、航空電子機器、マイクロソーラーインバーター、電力ツール、電気通信などを含む多様な用途で用いられるモータードライブにも最適です。

フェアチャイルドのiFET製品部副部長、Suman Narayan氏は、「フェアチャイルドの最新シリーズとして、新たに加えられたET MOSFETは、コストアップ要因となる放熱用のヒートシンクやその他のアプローチを使わずに、高温耐性を達成できる、あるいは達成しなくてはならない製品の設計に対応するための、より大きな「設計マージン」を設計者に提供します。」と述べています。 「これらの新たなデバイスは、競合他社の製品を大きく上回る設計マージンを設計者に提供するという、フェアチャイルドの伝統を引き継いでいます。」

これらの新しいET MOSFETが持つ、175° Cでも稼働できるという能力は、ソーラーパワーやパワーオーバーイーサネット (POE) といった、特に高い温度環境で稼働しなくてはならない製品にとって最適です。 加えて、デバイスの非常に高い信頼性は、航空電子機器、鉄道、パワーツールアプリケーションを含む、厳しい環境で使用される製品にとってのメリットとなります。

製造業者に対し、製品設計に高い柔軟性を提供することができるため、動作温度範囲を拡張することで、非常に小さいパッケージでより高い電力密度を達成できることは重要なメリットとなります。 これによって、設計者は同じ出力を維持しながら、製品の実装サイズを減少させることができます。あるいは、サイズを大きくすることなく、出力を高めることができます。

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新商品情報 800VSuperFETII MOSFETについて


新しいSuperFET MOSET シリーズは、低オン抵抗(RDS(on))と低出力容量(Coss)を組み合わ

せた幅広いパッケージングオプションにより、設計自由度が向上

カリフォルニア州サンノゼ – 2015 年3 月10 日 — 本日、高性能パワー半導体ソリューションのグローバルサプライヤーであるフェアチャイルド(NASDAQ: FCS)は、800V SuperFET® II MOSFETシリーズを発表しました。本製品は、幅広いパッケージオプションを特長とし、業界で最も低いオン抵抗(RDS(on))と出力容量(Coss)を実現しています。 本新製品は、600V/650V 以上の耐圧を必要とする高性能ソリューションの効率や費用効果、信頼性を高めます。また部品点数を削減し、設計における基板面積の省スペース化も実現しています。

クラス最高の信頼性を誇る800V SuperFET II MOSFET シリーズは、効率と熱特性に優れ、多様な用途に対応しています。 また幅広いパッケージオプションにより、特にサイズに制約のある設計において非常に自由度が高まります。 本製品の主な用途としては、LED 照明、LED テレビ・ホームシアター向け音響機器用電源、電源アダプター、サーバー、産業用電源・補助電源のほか、マイクロソーラーインバーターなどが挙げられます。

フェアチャイルドの主任技術マーケティングエンジニアであるウォンファ・リーは、次のように語っています。「フェアチャイルドが開発した新しい800V SuperFET II MOSFET シリーズを使用すれば、メーカー各社は自社製品の効率性と信頼性を高めることができます。優れたスイッチング性と低比抵抗の実現により、類似の競合他社製品と比較して、効率性が大幅に改善されています。 本新製品は最新のスーパージャンクション技術を採用し、小型化に加え、これまでになく高い効率性を実現しています。また、その堅牢な内蔵ダイオードは、高dv/dt 条件において産業用ブリッジ回路の信頼性を向上させることができます」

フェアチャイルドの最新のSuperFET II MOSFET シリーズは、4.3Ω~60 mΩ(業界最小)までのRDS(on)に対応した26 のデバイスで構成されています。いずれも幅広い標準パッケージオプションが用意されているため、設計時の特定用途に最適なデバイスを選ぶ際の、選択の幅と自由度が広がります。 例えば、シリーズの主力製品であるFCD850N80Z は、DPAK における非常に低いRDS(on)(最大で850 mΩ)と、競合他社製品と比較して6~11%低いRDS(on) (最大)と8~13%低いCoss (400V)を組み合わせることで、低い抵抗が求められサイズの制約があるLED 照明用として最適な製品となっています。フェアチャイルドのSuperFET II MOSFET 技術の詳細については、こちらをご覧ください

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