IDT、低挿入損失を維持しながら業界トップクラスのアイソレーションとパワー処理を実現する広帯域RFスイッチを発表

2016年05月26日

GaAsスイッチとの互換性を備えつつ、比類のないRF性能の組み合わせを実現する

IDTの50～8000MHz広帯域幅、50Ω吸収型SPDTスイッチ

本日、高アイソレーション・低損失・高線形性を備え、さまざまなアプリケーションに対応する2種の広帯域RFスイッチを発表しました。50～8000MHzで動作するこのIDT^®の F2932／F2933は、シリコンベースの低歪み50Ω単極双投（SPDT）スイッチです。業界標準の4×4mm 16ピンQFNパッケージで提供され、フットプリントと制御性はドロップイン置き換え可能です。さまざまな仕様の製品を豊富に備えており、通信システムや防災無線システム、レーダー、汎用スイッチに最適です。

F2932／F2933の主な特長（4GHz時）：

• 高アイソレーション：66dB
• 低歪み：15dBmのトーン、1MHzのチャネル間隔で64dBmのIIP3
• 低挿入損失：0.93dB
• P1dB：35dBm以上

GaAsベースのスイッチなど、競合製品と比較した場合のメリット：

• RF性能の向上
• 信頼性の向上
• 簡単に組み込み可能
• ソリューション全体のコストを削減

IDTのRF部門担当ゼネラルマネージャであるChris Stephensは、次のように述べています。「2種の新デバイスは、業界最高レベルのアイソレーション値を達成可能で、低歪み・低挿入損失との組み合わせにより、さまざまな高アイソレーションアプリケーションにおいて比類のない性能を実現します。これらのスイッチは、エンジニアが今日のRF設計に求められる厳しい要件を満たすことをできるようにする、最新の提案です」

F2932とF2933は、RF性能、ピン配列、制御性に関して同一の仕様となっています。F2932は、イネーブル／ディセーブル機能が1つ追加されており、すべてのRFパスをオフ状態に切り替えてVCTL機能をディセーブルにすることができます。

 

IDTのRF製品について

IDTは、小型パッケージで優れた性能を実現する、フル機能の高性能RF（無線周波数）製品を提供しています。IDTのRF信号パスデバイスは、すべてシリコンベースであり、GaAsベースの製品に比べて圧倒的に優れた固有のメリットを備えています。製品ポートフォリオとしては、RFミキサー、固定ゲインアンプ（FGA）／可変ゲインアンプ（VGA）、デジタルステップアッテネータ（DSA）、復調器、ブロードバンド変調器、RFスイッチ、広帯域電圧可変アッテネータなどがあります。IDTのRFデバイスは、携帯電話の4G基地局、ブロードバンド中継局、分散アンテナシステム、マイクロ波バックホール機器といった製品に最適です。