富士エレクトロニクス株式会社
IDT、低挿入損失を維持しながら業界トップクラスのアイソレーションとパワー処理を実現する広帯域RFスイッチを発表
2016年05月26日
GaAsスイッチとの互換性を備えつつ、比類のないRF性能の組み合わせを実現する
IDTの50~8000MHz広帯域幅、50Ω吸収型SPDTスイッチ
本日、高アイソレーション・低損失・高線形性を備え、さまざまなアプリケーションに対応する2種の広帯域RFスイッチを発表しました。50~8000MHzで動作するこのIDT®の F2932/F2933は、シリコンベースの低歪み50Ω単極双投(SPDT)スイッチです。業界標準の4×4mm 16ピンQFNパッケージで提供され、フットプリントと制御性はドロップイン置き換え可能です。さまざまな仕様の製品を豊富に備えており、通信システムや防災無線システム、レーダー、汎用スイッチに最適です。
F2932/F2933の主な特長(4GHz時):
- 高アイソレーション:66dB
- 低歪み:15dBmのトーン、1MHzのチャネル間隔で64dBmのIIP3
- 低挿入損失:0.93dB
- P1dB:35dBm以上
GaAsベースのスイッチなど、競合製品と比較した場合のメリット:
- RF性能の向上
- 信頼性の向上
- 簡単に組み込み可能
- ソリューション全体のコストを削減
IDTのRF部門担当ゼネラルマネージャであるChris Stephensは、次のように述べています。「2種の新デバイスは、業界最高レベルのアイソレーション値を達成可能で、低歪み・低挿入損失との組み合わせにより、さまざまな高アイソレーションアプリケーションにおいて比類のない性能を実現します。これらのスイッチは、エンジニアが今日のRF設計に求められる厳しい要件を満たすことをできるようにする、最新の提案です」
F2932とF2933は、RF性能、ピン配列、制御性に関して同一の仕様となっています。F2932は、イネーブル/ディセーブル機能が1つ追加されており、すべてのRFパスをオフ状態に切り替えてVCTL機能をディセーブルにすることができます。
IDTは、小型パッケージで優れた性能を実現する、フル機能の高性能RF(無線周波数)製品を提供しています。IDTのRF信号パスデバイスは、すべてシリコンベースであり、GaAsベースの製品に比べて圧倒的に優れた固有のメリットを備えています。製品ポートフォリオとしては、RFミキサー、固定ゲインアンプ(FGA)/可変ゲインアンプ(VGA)、デジタルステップアッテネータ(DSA)、復調器、ブロードバンド変調器、RFスイッチ、広帯域電圧可変アッテネータなどがあります。IDTのRFデバイスは、携帯電話の4G基地局、ブロードバンド中継局、分散アンテナシステム、マイクロ波バックホール機器といった製品に最適です。