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卓越した電力密度を実現する、フェアチャイルドの 新たな175° C定格の中耐圧MOSFET

2015年03月17日

卓越した電力密度を実現する、フェアチャイルドの
新たな175° C定格の中耐圧MOSFET

30Vから150Vのアバランシェ電圧範囲(Bvdss)の新たな19製品のMOSFETは、業界標準の150° C定格のMOSFETと比較して、電力密度を最大85%改善し、3倍高い信頼性を実現いたします。

卓越した電力密度を実現する、フェアチャイルドの
新たな175° C定格の中耐圧MOSFET
30Vから150Vのアバランシェ電圧範囲(Bvdss)の新たな19製品のMOSFETは、業界標準の150° C定格のMOSFETと比較して、電力密度を最大85%改善し、3倍高い信頼性を実現いたします。
カリフォルニア州サンノゼ – 2015年3月17日 –Fairchild (NASDAQ: 高性能パワー半導体ソリューションのグローバルサプライヤーであるフェアチャイルドは、175℃で動作可能な中耐圧MOSFET(ET MOSFET)のラインナップを揃えることで製品の信頼性と性能の改善を実現します。 業界標準の150° C定格のMOSFETと比較して、より高い動作温度にて最大で85%高い電力密度と、3倍高い信頼性を実現いたします。 この新たなET MOSFETシリーズは、IPC-9592に準拠しており、標準の150°C MOSFETの125°Cと比較して、最高接合部温度は150° Cまで可能となり、さらなる設計余裕が可能となります。 ET MSOFETシリーズには新たな19のデバイスが含まれ、5 mm x 6 mm、3 mm x 3 mmの標準パッケージと、新たなTO-リードレス (TO-LL) パッケージの両方が利用可能です。 デバイスは、30V、40V、60V、80V、100V、120V、150Vを含む、幅広い範囲の定格電圧での提供です。 フェアチャイルドのET MOSFETシリーズは、優れた耐熱性、高い電力密度、そして改善された信頼性の卓越した組み合わせにより、DCDC、ACDC等の電力供給用途に最適です。また、航空電子機器、マイクロソーラーインバーター、電力ツール、電気通信などを含む多様な用途で用いられるモータードライブにも最適です。 フェアチャイルドのiFET製品部副部長、Suman Narayan氏は、「フェアチャイルドの最新シリーズとして、新たに加えられたET MOSFETは、コストアップ要因となる放熱用のヒートシンクやその他のアプローチを使わずに、高温耐性を達成できる、あるいは達成しなくてはならない製品の設計に対応するための、より大きな「設計マージン」を設計者に提供します。」と述べています。 「これらの新たなデバイスは、競合他社の製品を大きく上回る設計マージンを設計者に提供するという、フェアチャイルドの伝統を引き継いでいます。」 これらの新しいET MOSFETが持つ、175° Cでも稼働できるという能力は、ソーラーパワーやパワーオーバーイーサネット (POE) といった、特に高い温度環境で稼働しなくてはならない製品にとって最適です。 加えて、デバイスの非常に高い信頼性は、航空電子機器、鉄道、パワーツールアプリケーションを含む、厳しい環境で使用される製品にとってのメリットとなります。