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フェアチャイルドの800V SuperFET II MOSFET製品は 低オン抵抗と幅広いパッケージラインナップを実現

2015年03月10日

フェアチャイルドの800V SuperFET II MOSFET製品は 低オン抵抗と幅広いパッケージラインナップを実現

新しいSuperFET MOSETシリズは、低オン抵抗(RDS(on))と低出力容量(Coss)を組み合わせた幅いパッケジングオプションにより、設計自由度が向上

カリフォルニア州サンノゼ – 2015年3月10日 — 本日、高性能パワ半導体ソリュションのグロバルサプライヤであるフェアチャイルド(NASDAQ: FCS)は、800V SuperFET® II MOSFETシリーズを発表しました。本製品は、幅広いパッケージオプションを特長とし、業界で最も低いオン抵抗(RDS(on))と出力容量(Coss)を実現しています。 本新製品は、600V/650V以上の耐圧を必要とする高性能ソリューションの効率や費用効果、信頼性を高めます。また部品点数を削減し、設計における基板面積の省スペース化も実現しています。

クラス最高の信頼性を誇る800V SuperFET II MOSFETシリーズは、効率と熱特性に優れ、多様な用途に対応しています。 また幅広いパッケージオプションにより、特にサイズに制約のある設計において非常に自由度が高まります。 本製品の主な用途としては、LED照明、LEDテレビ・ホームシアター向け音響機器用電源、電源アダプター、サーバー、産業用電源・補助電源のほか、マイクロソーラーインバーターなどが挙げられます。

フェアチャイルドの主任技術マーケティングエンジニアであるウォンファ・リーは、次のように語っています。「フェアチャイルドが開発した新しい800V SuperFET II MOSFETシリーズを使用すれば、メーカー各社は自社製品の効率性と信頼性を高めることができます。優れたスイッチング性と低比抵抗の実現により、類似の競合他社製品と比較して、効率性が大幅に改善されています。 本新製品は最新のスーパージャンクション技術を採用し、小型化に加え、これまでになく高い効率性を実現しています。また、その堅牢な内蔵ダイオードは、高dv/dt条件において産業用ブリッジ回路の信頼性を向上させることができます」

フェアチャイルドの最新のSuperFET II MOSFETシリーズは、4.3Ω~60 mΩ(業界最小)までのRDS(on)に対応した26のデバイスで構成されています。いずれも幅広い標準パッケージオプションが用意されているため、設計時の特定用途に最適なデバイスを選ぶ際の、選択の幅と自由度が広がります。 例えば、シリーズの主力製品であるFCD850N80Zは、DPAKにおける非常に低いRDS(on)(最大で850 mΩ)と、競合他社製品と比較して6~11%低いRDS(on) (最大)と8~13%低いCoss (400V)を組み合わせることで、低い抵抗が求められサイズの制約があるLED照明用として最適な製品となっています。

フェアチャイルドの800V SuperFET II MOSFETシリズには、以下の特性があります。

RDS(on)
(最大)[mΩ]
TO-247 D2-pak TO-220 TO-220F D-pak
(TO-252)
I-pak
(TO-251)
4,300 FCPF4300N80Z FCU4300N80Z
3,400 FCD3400N80Z* FCU3400N80Z*
2,250 FCPF2250N80Z FCD2250N80Z FCU2250N80Z
1,300 FCPF1300N80Z
FCPF1300N80ZYD*
FCD1300N80Z
850 FCP850N80Z* FCPF850N80Z FCD850N80Z FCU850N80Z
650 FCP650N80Z* FCPF650N80Z
400 FCP400N80Z* FCPF400N80Z
FCPF400N80ZL1**
290 FCB290N80* FCP290N80* FCPF290N80*
220 FCP220N80* FCPF220N80*
85 FCH085N80_F155*
60 FCH060N80_F155*

(*: (開発中)

フェアチャイルドのSuperFET II MOSFET技術の詳細については、https://www.fairchildsemi.com/product-technology/superfet/をご覧ください。