富士エレクトロニクス株式会社

メーカーニュース

1200V/450A SiC ハーフブリッジ モジュールの新製品

2019年09月04日

CREE社ではSiCパワーデバイスの特徴を生かした独自のモジュール製品をリリースしています。

第三世代MOSFETと新開発のケーシングで小型化と高性能化を実現しています。

型名:CAB450M12XM3

モジュール寸法 80 x 53 x 19 mm
内部構成 Half-bridge
耐圧 1200 V
電流 450 A
パッケージ Module
ジャンクション温度 175 ˚C