富士エレクトロニクス株式会社
1700V SiC MOSFET 新製品をリリース
2018年07月09日
CREE社では、このたび新しい1700V/45mΩと、1700V/ 80mΩの2種類のディスクリートSiC MOSFETをリリースしました。
TO-247-4L Plusパッケージを用いたデバイスで、高電圧・高周波スイッチング機能を必要とするアプリケーションに適しています。
富士エレクトロニクス株式会社
1700V SiC MOSFET 新製品をリリース
2018年07月09日
CREE社では、このたび新しい1700V/45mΩと、1700V/ 80mΩの2種類のディスクリートSiC MOSFETをリリースしました。
TO-247-4L Plusパッケージを用いたデバイスで、高電圧・高周波スイッチング機能を必要とするアプリケーションに適しています。