インフィニオン テクノロジーズ

infineonニュース

2011年10月28日 インフィニオン、セールス・マーケティング・戦略担当取締役会メンバーにアルンジャイ・ミタル(Arunjai Mittal)が就任
2011年10月25日 インフィニオン、パワー半導体の市場リーダーとしての地位を強化 ― 再生可能エネルギー源とスマートグリッドが、さらなる成長の機会を切り開く
2011年10月20日 インフィニオンとランティク、CIF Licensing LLCとの特許侵害訴訟にて、訴訟取り下げとライセンス認可を金銭的対価なしに獲得
2011年10月17日 インフィニオン、ドイツの電子健康カード向けにセキュリティ・マイクロコントローラを供給
2011年10月12日 インフィニオン、車載アプリケーション向けマイクロコントローラ・マルチコア・アーキテクチャを発表
2011年10月10日 インフィニオン、最新のパワー半導体向け300mm薄ウェハ技術を用いたチップ生産に成功
2011年10月06日 ボンバルディア・トランスポーテーションとインフィニオン、機関車、高速鉄道、地下鉄の駆動回路の分野で戦略的提携を締結
2011年09月27日 インフィニオンの「HybridPACK™1」パワーモジュール、ヒュンダイの現行世代のハイブリッド車両に採用される
2011年09月21日 インフィニオンの新型高出力LEDドライバIC、高い柔軟性と性能により、高エネルギー効率のソリッドステート照明で幅広い設計に対応
2011年09月12日 ドイツ連邦内務省、セキュリティ分野でのインフィニオンとの協力体制を拡大、モバイル機器を対象に、クリティカルなインフラストラクチャとセキュリティの保護に傾注
2011年09月06日 屋内照明の消費電力 40%削減を目指す研究プロジェクト
2011年08月09日 「RELY」 研究プロジェクト : チップ設計の新たな手法を研究
2011年07月28日 2011会計年度第3四半期の売上高は、予想を上回る10億4,300万ユーロ。事業部合計の利益率は、20.3%という高水準を維持
2011年07月08日 インフィニオン、販売代理店契約を富士エレクトロニクスと新規締結
2011年05月25日 インフィニオン、Volterra社との訴訟の第一審判決に対する控訴を決定
2011年05月23日 インフィニオンの組み込み用セキュア エレメント「SLE 97144 SE」はNFC対応スマートフォン向けにセキュリティ機能を実現
2011年05月17日 インフィニオンの省エネルギーチップ グローバルなエネルギー消費を削減。世界の基準を上回る性能を発揮
2011年05月17日 インフィニオンの新しい「EconoPACK™ + Dファミリ」: 風力、太陽光発電や産業用駆動装置からの最も厳しい要求に応えるIGBTモジュール
2011年05月17日 インフィニオン、600V電力スイッチング製品ファミリを拡大
2011年05月17日 市場をリードするインフィニオンの、 高速ボディ・ダイオードを組み込んだ新しい「650V CoolMOS™CFD2」技術
2011年05月17日 インフィニオンの新しい4.5kV IGBTモジュール、エネルギー効率を高めると共にスイッチング損失を軽減
2011年05月10日 インフィニオン、キマンダの破産管財人から独ドレスデンの300mm製造施設を購入
2011年05月06日 インフィニオン、オーストリアでの生産と研究開発に1億9,800万ユーロを投資、400名を新たに雇用
2011年05月03日 2011会計年度第2四半期業績: 売上高増加率と利益率のいずれも当初予想を超え、継続事業からの売上高は9億9,400万ユーロ、事業部合計の利益率は20.3%を達成
2011年03月07日 インフィニオン、高効率の電力変換設計を推進 中耐圧MOSFETによる「CanPAK™」製品ファミリが完成
2011年02月01日 2011会計年度第1四半期業績: 継続事業からの売上高は9億2,200万ユーロ、事業部合計の利益率は過去最高の19.2%を達成

製品紹介

  SiC Schottkey Diodes
パワー半導体で世界をリードし、シリコンカーバイド(SiC)ショットキー・ダイオードの先駆的サプライヤーであるインフィニオンは太陽エネルギーや高効率照明システムといった新たな市場を活性化させています。これはパワーマネジメント市場に力を注いでいるリーダーシップの証左です。
  OptiMOS
「インフィニオンの『OptiMOS』テクノロジーは、業界をリードするオン抵抗やFOM特性などを通じ、電力損失の削減と全体的な効率化を実現しており、電源システムの設計に関わる主要な指標でベンチマークを打ち立て続けています。
  CoolMOS
革新的なCoolMOS™パワーファミリは、エネルギー効率の分野で新たな基準を設定します。高電圧MOSFETにおけるテクノロジーリーダーとして、CoolMOS™は、導通損失とスイッチング損失の大幅な削減を提供し、優れた電力変換システム用の高電力密度と効率を可能にします。
  IGBT ディスクリート
ディスクリートからChip(Wefer)まで新しい600Vおよび1200V第3世代高速IGBTファミリは、ハードとソフトスイッチングトポロジに最適化されています。
IGBT モジュール

設計の柔軟性を制限することなく電気的性能と最高の信頼性を提供するモジュールの概念を提供します。

販売代理店契約締結とHP

インフィニオン テクノロジーズ ジャパンと販売代理店契約締結のお知らせ
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン
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