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新しいコンスタントリニアリティテクノロジーを採用した最新RFデジタルVGAを発表

2016年05月31日

IDTの革新的な最新技術により、幅広いゲインコントロール範囲にわたって

高線形性を維持し、Txシステム性能を大幅に向上するF1455ファミリ

アメリカのサンフランシスコにあるモスコーニセンターで開催されている「2016 International Microwave Symposium(IMS2016)」において、新しいKLIN™コンスタントリニアリティテクノロジーを採用した無線周波数(RF)基地局向けデジタル可変ゲインアンプ(VGA)を発表しました。KLINテクノロジーを採用したこのIDT® F1455高ゲイン・高線形性トランスミッタVGAファミリは、ゲインコントロール範囲の最初の12dBにおいて38dBmという高いOIP3(3次出力インターセプトポイント)を維持し、システム全体で優れたダイナミックレンジを実現します。F1455デバイスファミリは、ワイヤレス基地局トランスミッタのパワーアンプ駆動に最適です。

IDTのKLINテクノロジーは、OIP3とP1dBO(出力1dB圧縮ポイント)の両方に関して、アンプゲイン設定を拡張する技術です。この機能は特に、デバイスのゲインが最大ゲインから約6dB少ない通常のゲイン設定範囲内に維持されるトランスミッタ設計で重要な意味を持ちます。

IDTのRF部門担当ゼネラルマネージャであるChris Stephensは、次のように述べています。「F1455ファミリは、信頼性に優れたモノリシックQFNパッケージシリコンソリューションを実現します。革新的なIDTのKLINテクノロジーにより、独自の高線形性を備えています。このICは、信頼性の低いGaAsベースのMCMに置き換わるもので、IDTは引き続き、革新的な設計技術を市場に提供していきます」

F1455の主な特長は次のとおりです。

なお、この製品群から、周波数範囲が700~1100MHzと2300~3000MHzのデバイスがまもなくリリースされる予定です。

F1455は現在サンプル出荷中で、6×6mm 28ピンQFNパッケージで提供されます。

IDT RF製品について

IDTは、小型パッケージで優れた性能を実現する、フル機能の高性能RF(無線周波数)製品を提供しています。IDTのRF信号パスデバイスは、すべてシリコンベースであり、GaAsベースの製品に比べて圧倒的に優れた固有のメリットを備えています。製品ポートフォリオとしては、RFミキサー、固定ゲインアンプ(FGA)/可変ゲインアンプ(VGA)、デジタルステップアッテネータ(DSA)、復調器、ブロードバンド変調器、RFスイッチ、広帯域電圧可変アッテネータなどがあります。IDTのRFデバイスは、携帯電話の4G基地局、ブロードバンド中継局、分散アンテナシステム、マイクロ波バックホール機器といった製品に最適です。