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通信システム向けに優れた機能を提供する柔軟性の高い新RFミキサーファミリ「VersaMixer」を発表

2016年04月15日

高線形性、低消費電力、設定可能なゲイン、超広帯域幅を
単一のBOMで実現するF1192/F1792 VersaMixerデバイス

 

IDT ®(Integrated Device Technology, Inc.、本社:米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ:IDTI)は本日、超広帯域幅の新しいRFミキサーファミリ「VersaMixer™」を発表しました。VersaMixerファミリは、現在の先進的なRFベース通信システム向けに最適な機能が多数組み込まれており、比類のない柔軟性を実現します。IDT製品の特徴である高線形性を実現するVersaMixer F1192F1792デバイスは、400~3800MHzの高性能かつ低消費電力の動作を必要とする無線システム向けに設計されています。F1192はデュアルチャネルRFミキサーで、F1792はシングルチャネルRFミキサーです。

新デバイスはゲインの設定が可能で、2~5Gのマルチモードリモート無線ユニットや、バックホールシステム、防災無線インフラなど、幅広い無線カードアプリケーションに利用できます。設定可能なゲインと超広帯域幅の組み合わせにより、無線システムを柔軟に設計することが可能となります。受信システムのゲイン、ノイズ、線形性を最適化できるため、ほぼすべてのアプリケーションに対応できます。また、2チャネル合わせてわずか835mW(標準)という低消費電力性能により、最新のリモート無線ユニットやスモールセルの高密度プリント基板(PCB)レイアウト設計をサポートします。

競合製品と異なり、VersaMixerデバイスは、外部コンポーネントに変更を加えることなく、動作帯域幅の全域にわたって機能することが可能です。したがって、単一の部品表(BOM)で多様なRFおよびIF動作帯域幅に対応できるため、さまざまなシステムに容易に統合することが可能で、コストを抑えつつ、市場投入を加速できます。

IDTのRF部門担当ゼネラルマネージャであるChris Stephensは、次のように述べています。「今回の新しいVersaMixerファミリは、革新的な設計技術を市場に提供するというIDTの伝統を引き継ぐもので、インフラや各種高性能アプリケーションをターゲットとするミキサー、DSA、VGAなど、RF分野におけるIDTのリーダーシップを強固なものにします。高線形性、超広帯域幅、調整可能なゲイン、超低消費電力という他に類を見ない組み合わせを単一デバイスで実現する新ファミリは、先行サンプルをご利用いただいたお客様から高い支持を得ています」

設定可能なゲインはIDTのFlatNoiseテクノロジーをベースとしており、ゲイン設定を下げ、入力IP3と入力P1dBを実際に増加することで、NF(雑音指数)が相対的に影響を受けないように保ちます。ゲインは2つのパラレルピンを通じて制御され、設定時間は100ns未満です。これにより、ゲインの動的調整が可能となり、無線設計の必要性に応じて「オンザフライ」で性能を最大化できます。

F1192デュアルチャネルRFミキサーとF1792シングルチャネルRFミキサーは量産を開始しており、パッケージは小型の4×4mm 24ピンTQFNです。

 

Parameter F1192 / F1792 Mixer
RF Frequency Range 400MHz – 3800MHz with 1 BOM
Configurable Conversion Gain 11 / 8 / 5 / 2 dB
Channel Isolation (3.6 GHz) 45 dB
OIP3 (0.9 / 1.9 / 2.6 / 3.5 GHz) 37 / 34 / 35 / 35 dBm
Input P1dB   2.6 GHz 14.6 dBm
Noise Figure (0.9 / 1.9 / 2.6 / 3.5 GHz) 8.9 / 8.7 / 10.0 / 10.9
2×2 Rejection (0.9 / 1.9 / 2.6 / 3.5 GHz) -75 / -82 / -73 / -68 dBc
Power Consumption (dual channel) 835mW / 650mW (low power mode) 3.3V
IF output impedance (differential) 200ohm
External RF/LO/IF matching components 0

 

IDT RF製品について

IDTは、小型パッケージで優れた性能を実現する、フル機能の高性能RF(無線周波数)製品を提供しています。IDTのRF信号パスデバイスは、すべてシリコンベースであり、GaAsベースの製品に比べて圧倒的に優れた固有のメリットを備えています。製品ポートフォリオとしては、RFミキサー、固定ゲインアンプ(FGA)/可変ゲインアンプ(VGA)、デジタルステップアッテネータ(DSA)、復調器、ブロードバンド変調器、RFスイッチ、広帯域電圧可変アッテネータなどがあります。IDTのRFデバイスは、携帯電話の4G基地局、ブロードバンド中継局、分散アンテナシステム、マイクロ波バックホール機器といった製品に最適です。