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2016年9月21日 クラス最高の効率と信頼性を誇る SuperFET Ⅲ MOSFET ファミリーを発表

2016年09月21日

本日(2016 年 9 月 21 日)、オン・セミコンダクターの一部門であるフェアチャイルド セミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区)は、650V 耐圧 N チャネル MOSFET の SuperFET® Ⅲファミリーを発表しました。この新世代 MOSFET は最新の通信 機器、サーバー、電気自動車 (EV)向け充電器、ソーラー発電システムに必須とされ る高度な電力密度、システム効率ならびに卓越した信頼性要件を満たすものです。

SuperFET Ⅲ MOSFET ファミリーはクラス最高の信頼性と低 EMI(電磁障害)ノイズ、優 れた効率と卓越した熱特性等をあわせ持ち、ハイパフォーマンスのアプリケーション に理想的な選択肢といえます。そのパフォーマンス特性に加えて、幅広いパッケージ オプションによって、お客様は特に基板面積/製品サイズへの制限がある製品設計に おいて高い柔軟性を手にすることが可能となります。

「業界を問わず、お客様は次世代の製品に効率/性能/信頼性の大幅な向上を求めてお り、かつ、新製品をより早く市場に投入すべく取り組んでおられます。新たな SuperFET Ⅲ MOSFET をご使用いただくことでお客様の大切な製品の目標開発期間を達 成するお手伝いをすると同時に、弊社製品が BOM(基板上の部品)コストを削減し、基板サイズを縮小して、製品設計の簡素化を確実に実現します。」と、Jin Zhao(弊社 ハイパワーインダストリアル事業部門 担当副社長兼本部長)は述べています。

弊社のスーパージャンクション MOSFET における Easy-Drive シリーズの中で、 SuperFET Ⅲテクノロジーの当製品は、最も低いオン抵抗(Rdson)を達成し、クラス最 高の効率を実現しました。これは高度なチャージバランス技術によって実現され、さ らに同一パッケージサイズにおいてその前世代の SuperFET Ⅱよりも 44%低いオン抵 抗(Rdson)を実現しました。

SuperFET Ⅲファミリーの卓越した耐久性と信頼性を実現するための重要な要素は、 クラス最高のボディダイオードと、類似の競合製品よりも 3 倍優れたシングルパル ス・アバランシェ・エネルギー(EAS) 性能です。

650V 耐圧 SuperFET Ⅲにおいて、ターンオフ時のピーク・ドレイン-ソース電圧が低 くなるということは低温動作時のシステム信頼性の向上につながります。これは、 -25℃のジャンクション温度では、ブレイクダウン電圧が室温と比較して通常約 5%低 下し、かつ低温下ではピーク・ドレイン-ソース電圧がより高くなるからです。 これらの信頼性向上によるメリットは、ソーラーインバーター、無停電電源装置 (UPS)、EV 充電器など、より高温もしくは低温の外部環境温度に耐えることが要求さ れる産業分野のアプリケーションで特に重要となります。SuperFET Ⅲ MOSFET ファミ リーは複数のパッケージとパラメーターオプションで、量産開始済み、サンプルも今 すぐご入手頂けます。

型番 RDS(on) (MAX)(mΩ)@VGS=10V Qg(Typ)(nC)@VGS=10V パッケージ
FCH023N65S3L4 23 222  TO-247 4L
FCH023N65S3 23 222  TO-247 3L
FCH067N65S3 67 78  TO-247 3L
FCP067N65S3 67 78  TO-220 3L
FCPF067N65S3 67 78  TO-220F 3L
FCB070N65S3 70 78  TO-263 2L (D2-PAK)

フェアチャイルドの SuperFET Ⅲ MOSFET ファミリーに関する詳細情報は fairchildsemi.co.jp/superfet をご覧ください。

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