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IoT実現への基礎となるPoE機器向けに クラス最高性能を実現した新製品「FDMQ8205」を発表

2016年07月26日

本日(2016年7月26日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略)は、イーサネット上で電力供給を行う(Power Over Ethernet 、PoE)機器向けにMOSFET技術で業界をリードしている“GreenBridge™”シリーズ(4回路入り、アクティブブリッジ)の拡大をめざし、 新製品の「FDMQ8205」を発表しました。この製品はセキュリティカメラ、ワイヤレスアクセスポイント、LED照明、その他のPoE受電機器に最適な次世代製品です。お客様は“GreenBridge”シリーズのクラス最高の低オン抵抗(Rdson)特性、極小パッケージ、卓越した熱性能のメリットを活かすことで、PoE 受電機器の低温動作の実現と同時に、変換効率を高め、機器の小型化を実現できます。

最新の“GreenBridge”テクノロジーはIEEE 802.3at規格に準拠しており、ショットキーダイオードと比較して電力損失を最大10倍低く抑えることができます。この卓越した熱特性により、お客様はヒートシンクを小型化または不要化することができ、製品設計の簡素化、システム基板のコスト削減、基板面積の削減が可能になります。

「熱問題の解決は常に重要な設計課題となってきましたが、ことに25.5W以上の電力を必要とする新世代のIoT機器では、今迄以上に重要課題となっています。最先端のMOSFET技術による弊社の最新の“GreenBridge”製品は、設計者において熱設計を容易にするとともに、その他の重要な設計目標 —さらなる高効率化、規格への準拠、機器の小型化/コスト削減等 —を達成するお手伝いをします。」と、フェアチャイルドiFET部門統括責任者Suman Narayanは語っています。

PoEシステム上での上限のある入力電力においては、電力と電圧を最大化する必要があるため、“GreenBridge ”シリーズの極めて低い導電損失はもう1つの重要なメリットです。クラス最高の低オン抵抗(Rdson)特性を達成し、最適化されたPowerTrench MOSFETテクノロジーの電力変換効率とあわせて、最も類似した競合製品と比較して47%低い導電損失を実現しています。

“GreenBridge”シリーズの極小パッケージは、小型化が求められる新世代のPoE 受電機器にとって理想的です。“GreenBridge ”シリーズの新製品「FDMQ8205」は、わずか4.5 mm x 5 mmのMLPパッケージ内にフルブリッジ接続された4個のMOSFETを組み込んでいます。加えて、外部ドライバーICも不要なため、基板面積をさらに削減することが可能です。

供給状況
新製品の「FDMQ8205」は既に量産開始済みです。詳細な製品情報、評価ボード、サンプルについては、fairchildsemi.co.jp/greenbridgeにてご覧いただけます。

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