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日本TI、業界で最も低いオン抵抗、実装面積1.2mm2のFemtoFET 60V Nチャネル・パワーMOSFET製品を発表

2016年06月23日

日本TI ニュースセンター – ニュースリリース

従来の60Vロード・スイッチと比較して 80パーセント小型の LGAパッケージで供給

2016年06月22日

SCJ-16-020
2016年6月22日

日本テキサス・インスツルメンツは、従来の60V動作のロード・スイッチと比較して90パーセント低く、業界で最も低いオン抵抗(内部抵抗)を提供し、最終システムの
電力損失の削減に役立つ、60V動作、Nチャネル・パワーFemtoFETトランジスタ製品を発表しました。新製品の『CSD18541F5』は、従来のSOT-23パッケージで
供給されるロード・スイッチ製品と比較して80パーセント小型の、1.53mm×0.77mmのシリコン・ベースのパッケージで供給されます。製品の詳細やサンプルのご注文に関してはhttp://www.tij.co.jp/CSD18541F5-pr-jpをご覧ください。

 

 
『CSD18541F5』MOSFETのオン抵抗は54mΩ(代表値)であり、基板実装面積に制約を持つ産業用のロード・スイッチのアプリケーションに使用される標準的な
小信号MOSFETの置替え用途に最適化されています。小型のランド・グリッド・アレー(LGA)パッケージは、接続パッド間のピッチが0.5mmで、容易に実装が可能です。
詳細については、ブログ記事「新型の60V FemtoFET MOSFET製品で、産業用機器を小型化」をご覧ください。

 
『CSD18541F5』は、高電圧動作製品や、生産しやすい小型パッケージ製品を含む、TIのFemtoFET MOSFETsのNexFET™ テクノロジ製品ポートフォリオに
追加される新製品です。LGAパッケージの詳細に関してはデザイン・サマリ(英語)をご覧ください。

 
CSD18541F5』の特長と利点
・ゲート-ソース電圧 (VGS) が10V時に54mΩの非常に低いオン抵抗で、従来の60V動作のロード・スイッチ製品と比較して90パーセントの電力損失を削減

・1.53mm×0.77mm×0.35mmと超小型の LGAパッケージは、従来のSOT-23パッケージで供給されるロード・スイッチ製品と比較して80パーセント小型で、
基板実装面積を縮小

・生産しやすい0.5mm のパッド・ピッチ

・ESD(静電気放電)保護ダイオードを内蔵、MOSFETのゲートを過電圧から保護

 
供給、パッケージと価格について
現在、『CSD18541F5』は量産出荷中で、TIや販売特約店から供給されます。パッケージは3ピンLGAで、1,000個受注時の単価(参考価格)は0.14ドルです。PSpice 過渡モデルもダウンロードできます。

 
TI NexFET パワーMOSFET製品について
TIの NexFETパワーMOSFET製品は、高電力のコンピューティング、ネットワーキング、産業用や電源などの製品のエネルギー効率を向上します。
これらの高周波、高効率のアナログ・パワーMOSFET製品はシステム設計者に、現在、最も進歩した直流用DC/DC電力変換ソリューションを提供します。

 
TIの電源管理製品ポートフォリオに関する情報
・TIのNexFETパワーMOSFET製品の包括的なポートフォリオを参照

・TIの WEBENCH Power Designer で、電源管理システムをオンラインで設計

TI Designs リファレンス・デザイン・ライブラリから、電源のリファレンス・デザインをダウンロード

 

 
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