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新世代のPowerTrench MOSFET「FDMS86181」を発表

2016年03月22日

本日(2016年3 月22日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略す)は、最新世代の100V耐圧 N-チャネルMOSFETの主力製品となる100V シールデットゲートPowerTrench® MOSFET「FDMS86181」を発表しました。この「FDMS86181」はフェアチャイルドの最新世代のパワートレンチMOSFET技術を用いた第一弾の製品で、効率化への飛躍的な改善と100V MOSFETを使用せざる得ない電源やモーターその他のアプリケーションにおいて電圧リンギングの低減と低EMI(電磁干渉)を実現します。

フェアチャイルドは約25年前からパワートレンチMOSFETを推し進め、それを成功させてきた先駆者です。そしてその最新世代のMOSFET製品は、顧客の電源システムにおけるほぼ全ての要求に答え、競合他社に先んじ、且つこれまでと同様にファアチャイルドをMOSFET技術開発のトップランナーと位置づけるものです。

“フェアチャイルドのこの新たな100V N-チャネルMOSFETは、業界をリードして来た現行のPowerTrench MOSFETを大躍進させたものです。その特性が飛躍的に改善され、且つほとんどの競合他社製品に対し、その効率から信頼性までのすべての性能項目で勝っています。”とフェアチャイルドのiFET製品部門のゼネラルマネージャーのSuman Narayanは語っています。

この新たな「FDMS86181」の最大の利点は導通損失に寄与するオン抵抗(Rdson)を40%低減し、同時にスイッチング損失を低減するゲート電荷(Qg)の最小化を実現していることです。さらに、ずば抜けて低い逆回復電荷(Qrr)はリンギングの発生源となる電圧のオーバーシュートをほとんど除去すると同時に、製品設計におけるスナバの削減もしくは除去及びEMIの低減を可能にします。この類を見ない利点により、「FDMS86181」は基板サイズと基板上の部品コスト(BOM)の双方を同時に削減します。

新製品100V パワートレンチMOSFETのサンプルおよび詳細については、PowerTrench MOSFETの製品フォルダーをご覧ください。

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