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フェアチャイルド,1200V SiCダイオード「FFSH4010ADN」を発表

2016年03月15日

本日(2016年3 月15日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略す)は、1200V シリコンカーバイド (SiC) ダイオード「FFSH40120ADN」を発表しました。この製品は、今後品揃えを増加させるSiC製品の第一弾です。この1200Vダイオードは、優れたスイッチング性能、高い信頼性、低EMI (電磁干渉) といった長所を兼ね備えていることから、次世代のソーラーインバーター、産業用モーターコントロール、溶接機といった高電力密度で高効率化がますます求められる高信頼性産業用途に最適です。

「市場トレンドと厳格化している業界基準という2つの要因を受け、エネルギー効率の高い製品に対するニーズが高まっています。当社の新しい1200V SiCダイオードは、このように高まる一方のエネルギー効率要件を満たしつつ、信頼性、耐久性、費用対効果の向上をお客様が達成する手助けとなる製品です」とフェアチャイルドのHigh Power Industrial部門のJin Zhao副社長兼ゼネラルマネージャーは開発趣旨を説明しています。「このダイオードでは、物性でシリコンを大幅に上回る性能を持つことから、シリコンカーバイドを基盤としました。今後、新たなSiCベースの半導体ソリューションを投入し、シリーズを拡充していきます」

「FFSH40120ADN」ダイオードは、リーク電流がクラス最小レベルの小ささで、175℃でのリーク電流値は競合製品をはるかに下回ります。超高速スイッチングや逆回復電流が流れないといったこの1200V SiCダイオードの主な特長により、スイッチング損失はシリコンより著しく低減され、高効率を実現します。また、スイッチング速度を高めることで、製品に使われる磁気コイルや関連する受動部品の小型化が可能となるため、パッケージング効率の向上、システムの軽量化、部品コスト削減にも寄与します。

このほかに、広範な温度領域で安定したスイッチングが可能であること、回復電圧がゼロのため電圧オーバーシュートが発生しないなどのこのダイオードの特徴も、卓越した性能を裏付けています。

「FFSH40120ADN」は、シリコンに比べ熱性能に優れたSiCを採用しているため、同等のシリコンベースダイオードに比べ、耐久性と信頼性も大きく上回ります。 SiCの破壊電界はシリコンの10倍、熱伝導率はシリコンの3倍に達します。

フェアチャイルドは、3月20~24日に米カリフォルニア州ロングビーチで開催されるAPEC会議に参加し、この新しい1200V SiCダイオードの性能を1717番ブースで実演します。

新製品1200V SiCダイオードのサンプルおよび詳細については、「FFSH40120ADN」の製品フォルダをご参照ください。

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